| 摘要 |
本发明之半导体装置之制造方法，系包括：于平面上半导体层上形成柱状第1导电型半导体层的步骤；在其下部之平面状半导体层形成第2导电型半导体层的步骤；于第1导电型半导体层之周围形成闸极绝缘膜及由金属和非晶矽(或多晶矽)之积层构造所构成的闸极电极的步骤；于闸极之上部和第1导电型半导体层之上部侧壁将第2绝缘膜和第1绝缘膜形成侧墙状的步骤；于闸极之侧壁将第2绝缘膜和第1绝缘膜形成侧墙状的步骤；于第1导电型半导体层之上部形成第2导电型半导体层的步骤；在第1导电型半导体层下部之平面状半导体层形成的第2导电型半导体层形成金属与半导体之化合物的步骤；在第1导电型半导体层上部形成的第2导电型半导体层形成金属与半导体之化合物的步骤；于闸极形成金属与半导体之化合物的步骤；在第1导电型半导体层下部的平面状半导体层形成的第2导电型半导体层上形成接触部的步骤；及在第1导电型半导体层上部形成的第2导电型半导体层上形成接触部的步骤。 |
