| 摘要 |
Способ изготовления фотоэмиттера с отрицательным электронным сродством для инфракрасного диапазона, заключающийся в нагреве поверхности подложки (основы) из легированного арсенида галлия с дырочной проводимостью (p-GaAs), в снижении температуры до комнатной, в напылении на поверхность подложи поочередно атомов цезия и кислорода, в измерении тока фотоэмиссии с поверхности, отличающийся тем, что подложку нагревают до повышения концентрации мышьяка на поверхности более чем 1,5 раза, затем фиксируют состав поверхности резким снижением температуры подложки до комнатной температуры, затем напыляют поочередно атомы цезия и кислорода дозами долей монослоя до образования цезиевой пленки моноатомной толщины, затем эмиттер помещают на несколько минут в атмосферу инертного газа. |
