摘要 |
Capteur de gaz (10) comportant un transistor à effet de champ avec un substrat (12), une électrode de porte (22) exposée aux gaz, une électrode de source (18) et une électrode de drain (20). Une isolation électrique (24) sépare le substrat (12) de l'élément de l'électrode de porte (22). Cette isolation (24) est un système de couches (26, 28, 30) avec des charges définies et stabilisées introduites dans au moins l'une des couches. Le capteur (10) a un comportement de mesure particulièrement stable aux températures élevées grâce à l'isolation (24) mécanique et électriquement stable. Procédé de fabrication d'un tel capteur de gaz (10). |