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Procédé de détachement de couche autoportée (4) de silicium d'orientation cristalline <100>, en vue notamment d'applications dans le domaine photovoltaïque, caractérisé en ce que le procédé comprend les étapes consistant à : a) Implanter des espèces ioniques dans un substrat (1) de silicium d'orientation cristalline <100> de sorte à créer un plan de fragilisation (2) dans le substrat (1) implanté, délimitant de part et d'autre une couche autoportée (4) et un négatif (5) du substrat (1), et b) Appliquer un traitement thermique au substrat (1) implanté avec une rampe de température supérieure à 30°C/s de sorte à détacher la couche autoportée (4) de silicium. |
