Procedimiento de corte de un sustrato semiconductor

摘要

Un procedimiento de corte de un sustrato semiconductor (1) que tiene una cara frontal (3) formada con unapluralidad de dispositivos funcionales para dividirlo en ca 5 da uno de dichos dispositivos funcionales, comprendiendoel procedimiento las etapas de: pegar una lámina (20, 220) a la cara trasera (17) del sustrato semiconductor (1) por medio de una capa de resina depegado de plaquetas (23, 223); después del pegado de la lámina (20, 220) a la cara trasera (17) del sustrato semiconductor (1), formar una regiónprocesada fundida (13) dentro del sustrato semiconductor irradiando el sustrato semiconductor con luz lásermientras se utiliza una cara frontal del sustrato semiconductor como una superficie de entrada de luz láser y ubicarun punto de convergencia de luz dentro del sustrato semiconductor, para dividir el sustrato semiconductor en chipssemiconductores, teniendo cada uno de ellos un dispositivo funcional en el mismo; en el que se forma una parte que está destinada a ser cortada (9) mediante la formación de una región procesadafundida (13), y en el que en la formación de la parte que está destinada a ser cortada (9), la luz láser es emitida conel fin de que discurra entre una pluralidad de dispositivos funcionales dispuestos como una matriz en la caradelantera (3), con lo que la parte que está destinada a ser cortada (9) es formada como una cuadrícula que discurredirectamente por debajo de entre los dispositivos funcionales vecinos; después de la división del sustrato semiconductor, cortar la capa de resina de pegado de plaquetas (23, 223) a lolargo de una superficie de corte del chip semiconductor (25) mediante la expansión de la lámina; y después de cortar la capa de resina de pegado de plaquetas (23, 223), irradiar la lámina adhesiva (20) con rayos UV desde el lado de la cara trasera, con lo que una capa de resina curablepor radiación UV (22) es curada, reduciendo la fuerza adhesiva entre la capa de resina curable por radiación UV (22)y la capa de resina de pegado de plaquetas (23), en el que irradiar la lámina adhesiva (20) puede realizarse tambiénantes de iniciar la expansión de la lámina adhesiva (20); recoger el chip semiconductor (25) de la lámina mientras el chip semiconductor (25) recogido tiene la capa de resinade pegado de plaquetas en una superficie trasera del chip semiconductor (25) recogido.