Vorrichtung und Verfahren für einen MOS-Transistor

摘要

MOS-Transistor, der ein Substrat mit einer ersten Leitfähigkeit, einen ersten Bereich mit der ersten Leitfähigkeit, der über dem Substrat ausgebildet ist, einen zweiten Bereich mit der ersten Leitfähigkeit, der in dem ersten Bereich ausgebildet ist, einen ersten Drain/Source-Bereich mit einer zweiten Leitfähigkeit, der in dem zweiten Bereich ausgebildet ist, einen zweiten Drain/Source-Bereich mit der zweiten Leitfähigkeit und einen Aufbaukontaktbereich mit der ersten Leitfähigkeit aufweist, wobei der Aufbaukontaktbereich und der erste Drain/Source-Bereich in einer Draufsicht abwechselnd ausgebildet sind.