| 主权项 |
1.一种防止进入反应室之微粒产生的装置,适用于具有气体流入口及抽气口而对被处理物施行处理的反应室,且上述防止进入反应室之微粒产生的装置包括:一气体管器,连接于上述反应室的气体流入口;以及一第一阀门,设置于上述气体管路,用以控制反应气体经由上述气体管路而流入上述反应室内;其特征在于:上述防止进入反应室之微粒产生的装置更包括一第二阀门,且上述第二阀门连接于上述气体管路,用以控制清洁用气体流入至上述气体管路;藉此,于藉由上述第一阀门而将上述反应气体导入上述反应室以对上述被处理物施行处理之前后,藉由上述第二阀门而将上述清洁用气体导入上述气体管路,以清洁上述气体管路。2.如申请专利范围第1项所述的防止进入反应室之微粒产生的装置,其中更包括一流量控制器,且上述流量控制器设置于上述气体管路,用以控制流经上述气体管路的气体流量。3.如申请专利范围第2项所述的防止进入反应室之微粒产生的装置,其中上述反应室为化学气相沈积室。4.如申请专利范围第3项所述的防止进入反应室之微粒产生的装置,其中上述反应气体为矽甲烷。5.如申请专利范围第4项所述的防止进入反应室之微粒产生的装置,其中上述被处理物为晶圆。6.如申请专利范围第1.2.3.4或5项所述的防止进入反应室之微粒产生的装置,其中上述清洁用气体为惰性气体。7.如申请专利范围第1.2.3.4或5项所述的防止进入反应室之微粒产生的装置,其中上述清洁用气体为氮气。图式简单说明:第一图系显示习知电浆加强型化学气相沈积反应器的剖面示意图;第二图系显示本创作之防止进入反应室之微粒产生的装置的剖面示意图;第三图系显示用以说明本创作之方法的流程图;第四图系显示依据本创作所制造之复晶矽之不均匀度对次数的曲线图;第五图系显示依据本创作与习知者所制造之复晶矽之不均匀度对厚度的曲线图;以及第六图系显示依据本创作与习知者所制造之三种产品之良率的比较图。 |
