| 主权项 |
1.一种于快闪记忆装置中形成浮动闸之方法,此记忆装置于该浮动闸与一控制闸之间有一介质层,此方法包括以下步骤:于一半导体基盘中形成场氧化物层;于该半导体基体上形成用于浮动闸之一闸氧化物层及一导电层;于该导电层上依次形成一第一氧化物层及一氮化矽层;形成一光阻图型;以选择性方式蚀刻该氮化矽层,该第一氧化物层及该导电层;使用一离子注入处理步骤形成源极/汲极区域;去掉该光阻图型;于以上步骤所产生之结构上形成一钝化层;及藉对于该纯化层施以各向异性蚀刻处理,而于该浮动闸之侧壁上形成一隔离层,如此可使该浮动闸之侧壁免于氧化;于该氮化矽层上形成一第二氧化物层;及于以上步骤所产生之结构上形成一控制闸。2.根据申请专利范围第1项之方法,其中该导电层为一经掺有杂质之多晶矽层。3.根据申请专利范围第1项之方法,其中该钝化层为一未经掺有杂质之多晶矽层。4.根据申请专利范围第1项之方法,其中该钝化层为一氮化矽层或一二氧化矽层。图式简单说明:第一图A至第一图C为形成一快闪记忆装置之叠层闸之方法之横截面图;及第二图A至第二图C为形成根据本发明之一快闪记忆装置之叠层闸之方法之横截面图。 |
