| 发明名称 | 三进制电存储材料及其制备和应用 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种三进制电存储材料及其制备和应用，其中三进制电存储材料的化学结构通式为：<img file="DDA0000399164240000011.GIF" wi="846" he="776" />其中，x为5～9；y为1～5；数均分子量为11000～13000，分子量分布为1.4～1.6，R为-Br、或-H、或-NO<sub>2</sub>、或-N(CH<sub>2</sub>CH<sub>3</sub>)<sub>2</sub>。本发明的三进制电存储材料具有超高电信息存储密度的优越性能，大大提高了材料的信息存储能力。同时，基于上述三进制电存储材料能够制得三进制数据存储器件，该制备方法简单，效率高，制备的三进制数据存储器件稳定性高，在单位密度内的数据存储量将比基于“0”、“1”二进制数据存储呈指数级增长，因此在下一代的超高密度数据存储应用中具有巨大的价值。 | ||
| 申请公布号 | CN103497176A | 申请公布日期 | 2014.01.08 |
| 申请号 | CN201310497319.5 | 申请日期 | 2013.10.21 |
| 申请人 | 苏州大学 | 发明人 | 路建美;李华 |
| 分类号 | C07D401/12(2006.01)I;C08F293/00(2006.01)I;C08F220/36(2006.01)I;C08F220/34(2006.01)I;H01L51/00(2006.01)I | 主分类号 | C07D401/12(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 常亮 |
| 主权项 | 1.一种三进制电存储材料，其特征在于，所述三进制电存储材料的化学结构通式为：<img file="FDA0000399164210000011.GIF" wi="851" he="785" />其中，x为5～9；y为1～5；数均分子量为11000～13000，分子量分布为1.4～1.6，R为-Br、或-H、或-NO<sub>2</sub>、或-N(CH<sub>2</sub>CH<sub>3</sub>)<sub>2</sub>。 | ||
| 地址 | 215123 江苏省苏州市工业园区仁爱路199号 | ||