改善蚀刻制程之方法

摘要

一种改善蚀刻制程之方法，包括在氧化物蚀刻制程中使用CF4/C4F8/CO/Ar/N2混合气体以作为蚀刻气体，可增加氧化物对其他物质的蚀刻选择性。在蚀刻制程中加入清除步骤可有效清除沈积之聚合物以避免发生蚀刻中止(Etch Stopping)的情况，以及使用含N2的蚀刻气体蚀刻氧化物以形成接触窗口(Contact Hole)，可避免随后的沈积金属原子以形成自行对准金属矽化物(Salicide)的制程中，聚合物与金属原子产生反应所形成高电阻的物质影响元件的可信度(Reliability)。

主权项

1.一种改善蚀刻制程的方法,藉以增加一PE型蚀刻制程之选择性,包括下列步骤:提供一基底,该基底上形成有一氧化物;以及将该基底置于通入一蚀刻气体之一反应器中用以蚀刻该氧化物,该蚀刻气体包括CF4/C4F8/CO/Ar/N2混合气体。2.如申请专利范围第1项所述之改善蚀刻制程的方法,其中该基底上更包括形成有一氮化物。3.如申请专利范围第1项所述之改善蚀刻制程的方法,其中该基底上更包括形成有一多晶矽。4.如申请专利范围第1项所述之改善蚀刻制程的方法,其中该基底上更包括形成有一光阻。5.如申请专利范围第1项所述之改善蚀刻制程的方法,其中该反应器之气体压力约为200毫托耳。6.如申请专利范围第1项所述之改善蚀刻制程的方法,其中该反应器之电功率约为1500瓦特。7.如申请专利范围第1项所述之改善蚀刻制程的方法,其中该蚀刻气体中CF4.C4F8.CO、Ar与N2的流量分别约为20.4.200.600与20SCCM。8.如申请专利范围第1项所述之改善蚀刻制程的方法,其中蚀刻该氧化物之步骤中,更包括在该氧化物上形成一接触窗口,藉以避免一聚合物之沈积。9.如申请专利范围第8项所述之改善蚀刻制程的方法,其中该过蚀刻步骤之后更包括形成一自行对准金属矽化物于该接触窗口中。10.一种改善蚀刻制程的方法,藉以避免一PE型蚀刻制程发生蚀刻中止之情况,包括下列步骤:提供一基底,该基底上形成有一氧化物;进行一主要蚀刻步骤,用以蚀刻该氧化物;以一清除气体进行一第一清除步骤,用以大约清除该主要蚀刻步骤所生成之一聚合物,该清除气体包括CF4/Ar/N2混合气体;以一蚀刻气体进行一第一过蚀刻步骤,用以蚀刻该氧化物,该蚀刻气体包括CF4/C4F8/CO/Ar/N2混合气体;以该清除气体进行一第二清除步骤,用以大约清除该第一过蚀刻步骤所生成之该聚合物;以及以该蚀刻气体进行一第二过蚀刻步骤,用以蚀刻该氧化物。11.如申请专利范围第10项所述之改善蚀刻制程的方法,其中该主要蚀刻步骤系将该基底置于通入一蚀刻气体的一反应器中,藉以蚀刻该氧化物。12.如申请专利范围第11项所述之改善蚀刻制程的方法,其中该蚀刻气体包括CF3.CF4与Ar混合气体。13.如申请专利范围第12项所述之改善蚀刻制程的方法,其中该蚀刻气体中CF3.CF4与Ar的流量分别约为30.30与400SCCM。14.如申请专利范围第11项所述之改善蚀刻制程的方法,其中该反应器之气体压力约为300毫托耳。15.如申请专利范围第11项所述之改善蚀刻制程的方法,其中该反应器之电功率约为1300瓦特。16.如申请专利范围第10项所述之改善蚀刻制程的方法,其中该第一清除步骤与该第二清除步骤系将该基底置于一反应器中,其中该反应器中系通入该清除气体,藉以大约清除该主要蚀刻步骤所生成之该聚合物。17.如申请专利范围第16项所述之改善蚀刻制程的方法,其中该反应器之气体压力约为100毫托耳。18.如申请专利范围第10项所述之改善蚀刻制程的方法,其中该清除气体中CF4.Ar与N2的流量分别约为20.600与2OSCCM。19.如申请专利范围第10项所述之改善蚀刻制程的方法,其中该第一与第二过蚀刻步骤系将该基底置于通入该蚀刻气体的一反应器中。20.如申请专利范围第10项所述之改善蚀刻制程的方法,其中该蚀刻气体中CF4.C4F8.CO、Ar与N2的流量分别约为20.4.200.600与20SCCM。21.如申请专利范围第19项所述之改善蚀刻制程的方法,其中该反应器之气体压力约为200毫托耳。22.如申请专利范围第19项所述之改善蚀刻制程的方法,其中该反应器之电功率约为1500瓦特。23.如申请专利范围第10项所述之改善蚀刻制程的方法,其中该主要蚀刻步骤、该第一过蚀刻步骤与该第二过蚀刻步骤的时间均约为60秒。24.如申请专利范围第10项所述之改善蚀刻制程的方法,其中该第一消除步骤与该第二消除步骤的时间均约为20秒。图式简单说明:第一图-第二图系绘示习知蚀刻之制造流程图;第三图-第四图系绘示依照本发明一较佳实施例之改善蚀刻制程之制造流程图;