一种倒装高压LED芯片的结构及其制造方法

摘要

本发明提供的一种倒装高压LED芯片的结构及制造方法，结构自上而下包括：衬底，n个芯片，每个芯片自上而下包括N-GaN、发光层、P-GaN，N-GaN表面上的N型接触层，P-GaN表面上的P型接触层，第一绝缘层，贯穿第一绝缘层与N型接触层互连的N型接触孔和与P型接触层互联的P型接触孔，与第一芯片上的P型接触孔连接的第一布线层，与第i芯片的N型接触层和第i+1芯片的P型接触层连接的第二布线层，与第n芯片的N型接触层连接的第三布线层，第二绝缘层，贯穿第二绝缘层与第一布线层互连的第一布线接触孔和与第三布线层互连的第三布线接触孔，与第三布线接触孔连接的N焊盘和与第一布线接触孔连接的P焊盘，从而使倒装芯片散热好，出光面积大，不挡光，工艺简单。

主权项

一种倒装高压LED芯片的结构的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：提供一衬底，在所述衬底表面上生长N型氮化镓层、在所述N型氮化镓层上生长发光层、在所述发光层上生长P型氮化镓层，以形成外延层，在所述外延层中刻蚀形成沟槽，所述沟槽露出衬底表面，使所述外延层形成彼此相互绝缘独立的第一至第n芯片，n为大于等于2的整数；对每一所述芯片进行刻蚀，以在每一所述芯片表面形成均匀分布的贯穿P型氮化镓层、发光层、直到停留在N型氮化镓层表面上的小孔，在每一所述小孔内的N型氮化镓层表面上沉积一N型接触层，在每一所述芯片除所述小孔以外的P型氮化镓层表面上沉积一P型接触层；在所述外延层和P型接触层的表面以及所述沟槽和小孔内沉积第一绝缘层；在所述第一绝缘层表面分别刻蚀出直到与所述N型接触层互连的N型接触孔和直到与所述P型接触层互连的P型接触孔；在所述第一芯片上的部分第一绝缘层上以及与所述第一芯片的P型接触层连接的P型接触孔内沉积第一布线层，在所述第i芯片和第i+1芯片之间的部分第一绝缘层上以及与所述第i芯片上的N型接触层连接的N型接触孔内，以及与所述第i+1芯片上的P型接触层连接的P型接触孔内沉积第二布线层，i为大于等于1且小于n的整数，在所述第n芯片上的部分绝缘层上以及与所述第n芯片上的N型接触层连接的N型接触孔内沉积第三布线层；在所述第一布线层、第二布线层和第三布线层的表面上以及位于所述第一布线层、第二布线层和第三布线层彼此之间的第一绝缘层的表面上沉积第二绝缘层；在所述第二绝缘层表面分别刻蚀出直到与所述第一布线层互连的第一布线接触孔和直到与所述第三布线层互连的第三布线接触孔；以及制造相互绝缘的一P焊盘和一N焊盘，所述P焊盘覆盖在部分所述第二绝缘层的表面上及所述第一布线接触孔内，所述N焊盘覆盖在另一部分所述第二绝缘层的表面上及所述第三布线接触孔内，形成倒装高压LED。