| 发明名称 | 具有肖特基源LDMOS的半导体器件及制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种具有肖特基源LDMOS的半导体器件，包括重掺杂P型衬底或P+衬底、在重掺杂P型衬底或P+衬底上生长的P阱/外延、形成在P阱/外延中的P型扩散区、形成在P阱/外延中且与P型扩散区保持间隔的N阱/LDD、以及穿过P型扩散区并伸入到重掺杂P型衬底或P+衬底且与P型扩散区形成肖特基结的金属源极。本发明有效降低了源极串联电阻，利用金属本身的导电为器件沟道提供充足的载流子，可明显提高器件的增益，驱动电流和高频性能。 | ||
| 申请公布号 | CN103500757A | 申请公布日期 | 2014.01.08 |
| 申请号 | CN201310497151.8 | 申请日期 | 2013.10.21 |
| 申请人 | 苏州智瑞佳电子技术有限公司 | 发明人 | 李瑞钢;赵一兵;张耀辉;吴菲 |
| 分类号 | H01L29/47(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/47(2006.01)I |
| 代理机构 | 苏州慧通知识产权代理事务所(普通合伙) 32239 | 代理人 | 丁秀华 |
| 主权项 | 一种具有肖特基源LDMOS的半导体器件，其特征在于其包括：重掺杂P型衬底或P+衬底、在重掺杂P型衬底或P+衬底上生长的P阱/外延、形成在P阱/外延中的P型扩散区、形成在P阱/外延中且与P型扩散区保持间隔的N阱/LDD、以及穿过P型扩散区并伸入到重掺杂P型衬底或P+衬底且与P型扩散区形成肖特基结的金属源极。 | ||
| 地址 | 215123 江苏省苏州市工业园区若水路398号 | ||