半导体装置的制造方法

摘要

为了提供降低起因于静电放电的特性劣化的半导体装置的简单的制造方法，在第一绝缘体和第二绝缘体之间密封具有半导体集成电路及天线的多个元件层；形成包括形成于第一绝缘体表面上的第一导电层、第一绝缘体、元件层、第二绝缘体、形成在第二绝缘体表面上的第二导电层而成的叠层结构；以及使第一绝缘体及第二绝缘体熔化，由此叠层结构被分割使得至少包括一个半导体集成电路及一个天线。

主权项

一种半导体装置的制造方法，包括如下步骤：将分别包括半导体集成电路的多个元件层密封在第一绝缘体和第二绝缘体之间；形成包括第一导电层、所述第一绝缘体、所述多个元件层、所述第二绝缘体、以及第二导电层的叠层结构，其中所述第一绝缘体、所述多个元件层、以及所述第二绝缘体被置于所述第一导电层与所述第二导电层之间；以及在形成所述第一导电层和所述第二导电层之后使所述第一绝缘体及所述第二绝缘体熔化，由此所述叠层结构被分割使得包括至少一个所述半导体集成电路，其中在进行使所述第一绝缘体及所述第二绝缘体熔化的步骤同时，将所述第一导电层和所述第二导电层相互电连接。