发明名称 |
具有碱金属阻隔的强化玻璃上的有源电子器件 |
摘要 |
描述了采用强化玻璃基材,例如离子交换玻璃基材的制品,其具有含氧化物或氮化物的碱金属阻隔层和半导体器件,所述半导体器件可能对于碱金属的迁移是敏感的,还描述了制造所述制品的方法。 |
申请公布号 |
CN103502167A |
申请公布日期 |
2014.01.08 |
申请号 |
CN201280021952.0 |
申请日期 |
2012.05.04 |
申请人 |
康宁股份有限公司 |
发明人 |
冯江蔚;贺明谦;李剑锋;M·S·潘比安奇;M·L·索伦森 |
分类号 |
C03C17/22(2006.01)I;C03C17/23(2006.01)I;H01L29/786(2006.01)I;H01L27/12(2006.01)I |
主分类号 |
C03C17/22(2006.01)I |
代理机构 |
上海专利商标事务所有限公司 31100 |
代理人 |
项丹 |
主权项 |
一种制品,该制品包括:具有第一表面和第二表面,并且维氏裂纹引发阈值至少为20kgf的强化玻璃基材;具有第一表面和第二表面的阻隔层,其中所述阻隔层的第一表面与所述强化玻璃基材的第二表面相邻,并且所述阻隔层包含氧化物或氮化物;以及器件,该器件包括与所述阻隔层的第二表面相邻的半导体膜。 |
地址 |
美国纽约州 |