提高CdS和CdSe纳米材料电导率和光电流的方法

摘要

本发明公开了一种提高CdS和CdSe纳米材料电导率和光电流的方法，它利用电子束辐照提高了CdS和CdSe低维纳米材料电导率和光电流。本发明的方法简单、可控，且所需的电子束能量低（0.2-30keV），用扫描电子显微镜即可实现。在高真空环境中（优于1×10-3Pa），利用该方法能极大幅度提高CdS和CdSe低维纳米材料的电导率（>105倍）和光电流（达5倍）。

主权项

一种提高CdS和CdSe纳米材料电导率和光电流的方法，其特征在于方法如下：把CdS和CdSe纳米线、带或片放入真空度优于1×10‑3Pa的真空系统中，用能量0.2‑30keV、束流大于30pA的电子束对所需处理的CdS和CdSe纳米线、带或片辐照30秒以上，关闭电子束，将辐照后的材料在真空系统中放置3小时以上使材料性能趋于稳定，此时被处理的纳米材料的电导率和光电流比辐照之前有大幅度的提高。