发明名称 |
深脑电剌激探针及深脑电剌激装置 |
摘要 |
本实用新型适用于电剌激设备领域,提供了一种深脑电剌激探针及深脑电剌激装置,该深脑电剌激探针包括:主体,主体具有内腔;多根导线,多根导线穿设于内腔中;和多个电极;主体包括膨胀式端部,膨胀式端部在其膨胀后形成具有多个侧面的柱体;电极设置在柱体的侧面上并形成电极阵列,柱体的多个侧面中,至少两个侧面上的电极阵列中的电极的位置互不相同;每个电极至少与一根导线电连接。该深脑电剌激探针的通过设置膨胀式端部并将电极设于该端部,从而保证该端部尺寸较小,便于植入脑部目标区域;同时该端部为膨胀式结构,在植入脑部后,不仅可以轴向调整电极位置,而且可以径向调整电极位置,实现精确调整和定位的电极位置。 |
申请公布号 |
CN203379485U |
申请公布日期 |
2014.01.08 |
申请号 |
CN201320507869.6 |
申请日期 |
2013.08.19 |
申请人 |
先健科技(深圳)有限公司 |
发明人 |
陈文俊;庄少春;崔招焕;刘鹏 |
分类号 |
A61N1/375(2006.01)I |
主分类号 |
A61N1/375(2006.01)I |
代理机构 |
深圳中一专利商标事务所 44237 |
代理人 |
张全文 |
主权项 |
一种深脑电剌激探针,包括:主体,所述主体具有内腔;多根导线,所述多根导线穿设于所述内腔中;和多个电极;其特征在于,所述主体包括膨胀式端部,所述膨胀式端部在其膨胀后形成具有多个侧面的柱体;所述电极设置在所述柱体的侧面上并形成电极阵列,所述柱体的多个侧面中,至少两个所述侧面上的所述电极阵列中的电极的位置互不相同;每个所述电极至少与一根所述导线电连接。 |
地址 |
518000 广东省深圳市南山区高新技术产业园北区朗山二路赛霸科研楼1-3层 |