发明名称 深脑电剌激探针及深脑电剌激装置
摘要 本实用新型适用于电剌激设备领域,提供了一种深脑电剌激探针及深脑电剌激装置,该深脑电剌激探针包括:主体,主体具有内腔;多根导线,多根导线穿设于内腔中;和多个电极;主体包括膨胀式端部,膨胀式端部在其膨胀后形成具有多个侧面的柱体;电极设置在柱体的侧面上并形成电极阵列,柱体的多个侧面中,至少两个侧面上的电极阵列中的电极的位置互不相同;每个电极至少与一根导线电连接。该深脑电剌激探针的通过设置膨胀式端部并将电极设于该端部,从而保证该端部尺寸较小,便于植入脑部目标区域;同时该端部为膨胀式结构,在植入脑部后,不仅可以轴向调整电极位置,而且可以径向调整电极位置,实现精确调整和定位的电极位置。
申请公布号 CN203379485U 申请公布日期 2014.01.08
申请号 CN201320507869.6 申请日期 2013.08.19
申请人 先健科技(深圳)有限公司 发明人 陈文俊;庄少春;崔招焕;刘鹏
分类号 A61N1/375(2006.01)I 主分类号 A61N1/375(2006.01)I
代理机构 深圳中一专利商标事务所 44237 代理人 张全文
主权项 一种深脑电剌激探针,包括:主体,所述主体具有内腔;多根导线,所述多根导线穿设于所述内腔中;和多个电极;其特征在于,所述主体包括膨胀式端部,所述膨胀式端部在其膨胀后形成具有多个侧面的柱体;所述电极设置在所述柱体的侧面上并形成电极阵列,所述柱体的多个侧面中,至少两个所述侧面上的所述电极阵列中的电极的位置互不相同;每个所述电极至少与一根所述导线电连接。
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