发明名称 | CMOS图像传感器 | ||
摘要 | 本发明公开了一种CMOS图像传感器,感光结构包括PIN结和多晶硅栅。PIN结由三个横向排列的掺杂区组成,第二掺杂区为PIN结的I型区,多晶硅栅形成于第二掺杂区上方、且多晶硅栅和第二掺杂区间隔离有栅氧化层。多晶硅栅能使I型区的能带产生弯曲,从而能增加使I型区的光生电荷的转移能力,当I型区长度超过了光生电子或光生空穴的扩散长度时,也能使光生电子或光生空穴有效转移到N型区或P型区中,从而能降低光生电荷的转移在转移过程中的复合几率,能够增加感光区的光生电荷的转移效率,也能增加感光区的长度和有效感光面积,能够提高光响应率。 | ||
申请公布号 | CN102427079B | 申请公布日期 | 2014.01.08 |
申请号 | CN201110410127.7 | 申请日期 | 2011.12.09 |
申请人 | 中国科学院上海高等研究院 | 发明人 | 汪辉;丁毅岭;陈杰;田犁;方娜 |
分类号 | H01L27/146(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/146(2006.01)I |
代理机构 | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人 | 丁纪铁 |
主权项 | 一种CMOS图像传感器,形成在半导体衬底上,其特征在于:CMOS图像传感器的像素单元电路包括感光结构、CMOS像素读出电路;所述感光结构包括一PIN结和一多晶硅栅;所述PIN结由三个横向排列的掺杂区组成,第二掺杂区为所述PIN结的I型区;第一掺杂区为P型区、位于所述第二掺杂区的一侧、所述第一掺杂区和所述第二掺杂区接触连接;第三掺杂区为N型区、位于所述第二掺杂区的另一侧、所述第三掺杂区和所述第二掺杂区接触连接;所述多晶硅栅形成于所述第二掺杂区上方、且所述多晶硅栅和所述第二掺杂区间隔离有栅氧化层;所述半导体衬底为带有绝缘埋层的硅衬底,所述带有绝缘埋层的硅衬底自上而下包括顶层硅、绝缘层、支撑衬底;所述CMOS图像传感器形成于所述顶层硅上。 | ||
地址 | 201210 上海市浦东新区海科路99号 |