| 发明名称 | 干刻蚀下部电极及干刻蚀装置 | ||
| 摘要 | 本发明实施例提供了一种干刻蚀下部电极及干刻蚀装置，属于等离子体刻蚀技术领域，以避免在下部电极与基板的接触区域内产生不良斑。所述干刻蚀下部电极，包括平板状的电极板，所述电极板上设有绝缘层，所述绝缘层具有凹凸不平的粗糙表面。本发明可用于高世代生产线中干刻蚀装置的下部电极。 | ||
| 申请公布号 | CN103500695A | 申请公布日期 | 2014.01.08 |
| 申请号 | CN201310464514.8 | 申请日期 | 2013.10.08 |
| 申请人 | 京东方科技集团股份有限公司;北京京东方显示技术有限公司 | 发明人 | 张定涛;郑云友;吴成龙;李伟;宋泳珍;崔泰城 |
| 分类号 | H01J37/32(2006.01)I;H01J37/02(2006.01)I | 主分类号 | H01J37/32(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人 | 申健 |
| 主权项 | 一种干刻蚀下部电极，其特征在于，包括平板状的电极板，所述电极板上设有绝缘层，所述绝缘层具有凹凸不平的粗糙表面。 | ||
| 地址 | 100015 北京市朝阳区酒仙桥路10号 | ||