发明名称 |
半箔半线低压线圈结构 |
摘要 |
本实用新型涉及一种半箔半线低压线圈结构,包括箔绕线圈,所述箔绕线圈的每层之间设有端绝缘和层间绝缘,所述箔绕线圈的首尾两端分别由引线排出线,所述箔绕线圈外围缠绕有线绕线圈,所述线绕线圈是由导线并联绕成且分别出线,所述线绕线圈的匝数比箔绕线圈的匝数多,所述线绕线圈的每层之间也设有端绝缘和层间绝缘;所述箔绕线圈可以是由铜箔绕成,所述引线排可以是铜排,所述导线可以是铜线;所述箔绕线圈的端绝缘和层间绝缘可以均采用DMD预浸布。该半箔半线低压线圈结构新颖,具有强度较高、整体性较好、抗短路能力较强、动热稳定性较好且造价较低等优点,保证变压器可靠运行。 |
申请公布号 |
CN203386579U |
申请公布日期 |
2014.01.08 |
申请号 |
CN201320424673.0 |
申请日期 |
2013.07.17 |
申请人 |
国家电网公司;福州天宇电气股份有限公司 |
发明人 |
林光莺;范益彬 |
分类号 |
H01F27/28(2006.01)I;H01F27/32(2006.01)I |
主分类号 |
H01F27/28(2006.01)I |
代理机构 |
福州元创专利商标代理有限公司 35100 |
代理人 |
蔡学俊 |
主权项 |
一种半箔半线低压线圈结构,包括箔绕线圈,所述箔绕线圈的每层之间设有端绝缘和层间绝缘,所述箔绕线圈的首尾两端分别由引线排出线,其特征在于:所述箔绕线圈外围缠绕有线绕线圈,所述线绕线圈是由导线并联绕成且分别出线,所述线绕线圈的匝数比箔绕线圈的匝数多,所述线绕线圈的每层之间也设有端绝缘和层间绝缘。 |
地址 |
100761 北京市西城区西长安街86号 |