发明名称 半箔半线低压线圈结构
摘要 本实用新型涉及一种半箔半线低压线圈结构,包括箔绕线圈,所述箔绕线圈的每层之间设有端绝缘和层间绝缘,所述箔绕线圈的首尾两端分别由引线排出线,所述箔绕线圈外围缠绕有线绕线圈,所述线绕线圈是由导线并联绕成且分别出线,所述线绕线圈的匝数比箔绕线圈的匝数多,所述线绕线圈的每层之间也设有端绝缘和层间绝缘;所述箔绕线圈可以是由铜箔绕成,所述引线排可以是铜排,所述导线可以是铜线;所述箔绕线圈的端绝缘和层间绝缘可以均采用DMD预浸布。该半箔半线低压线圈结构新颖,具有强度较高、整体性较好、抗短路能力较强、动热稳定性较好且造价较低等优点,保证变压器可靠运行。
申请公布号 CN203386579U 申请公布日期 2014.01.08
申请号 CN201320424673.0 申请日期 2013.07.17
申请人 国家电网公司;福州天宇电气股份有限公司 发明人 林光莺;范益彬
分类号 H01F27/28(2006.01)I;H01F27/32(2006.01)I 主分类号 H01F27/28(2006.01)I
代理机构 福州元创专利商标代理有限公司 35100 代理人 蔡学俊
主权项 一种半箔半线低压线圈结构,包括箔绕线圈,所述箔绕线圈的每层之间设有端绝缘和层间绝缘,所述箔绕线圈的首尾两端分别由引线排出线,其特征在于:所述箔绕线圈外围缠绕有线绕线圈,所述线绕线圈是由导线并联绕成且分别出线,所述线绕线圈的匝数比箔绕线圈的匝数多,所述线绕线圈的每层之间也设有端绝缘和层间绝缘。
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