半导体元件及制造方法

摘要

一种包括边缘终止结构的半导体元件和制造该半导体元件的方法。一种半导体材料具有半导体器件区和边缘终止区。可以在所述半导体器件区中形成一个或多个器件沟槽并在所述边缘终止区中形成一个或多个终止沟槽。在邻近于终止沟槽的底面的一部分终止沟槽中形成源电极并在邻近于终止沟槽的嘴的那部分终止沟槽中形成浮动电极终止结构。可以在所述边缘终止区中形成第二终止沟槽且可以在所述第二终止沟槽中形成非浮动电极。或者，可以省略第二终止沟槽且可以在所述边缘终止区中形成无沟槽的非浮动电极。

主权项

一种用于制造半导体元件的方法，包括：提供具有第一和第二主表面的半导体材料；在半导体材料的第一区中形成至少一个半导体器件，其中，所述至少一个半导体器件的第一半导体器件具有第一电极；在半导体材料的第二区中形成第一终止沟槽，所述第一终止沟槽具有侧壁和底面；在所述第一终止沟槽的第一部分中形成第二电极，所述第二电极被电学耦合到第一电极并通过第一介电材料与所述侧壁和所述底面间隔开；在所述第二电极和所述第一终止沟槽的所述侧壁之上形成第二介电材料；以及在所述第一终止沟槽的第二部分中形成第三电极，所述第三电极通过所述第二介电材料与所述第二电极电学隔离。