| 发明名称 | 用于形成半导体基板用钝化膜的材料、半导体基板用钝化膜及其制造方法、以及太阳能电池元件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种用于形成半导体基板用钝化膜的材料，其包含具有阴离子性基团或阳离子性基团的高分子化合物。 | ||
| 申请公布号 | CN103503121A | 申请公布日期 | 2014.01.08 |
| 申请号 | CN201280021239.6 | 申请日期 | 2012.05.18 |
| 申请人 | 日立化成株式会社 | 发明人 | 织田明博;吉田诚人;野尻刚;町井洋一;岩室光则;足立修一郎;佐藤铁也;田中彻 |
| 分类号 | H01L21/312(2006.01)I;C08K3/00(2006.01)I;C08L25/18(2006.01)I;C08L27/12(2006.01)I;C08L71/10(2006.01)I;C08L101/02(2006.01)I;H01L31/04(2014.01)I | 主分类号 | H01L21/312(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 蒋亭 |
| 主权项 | 一种用于形成半导体基板用钝化膜的材料，其包含具有阴离子性基团或阳离子性基团的高分子化合物。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||