| 主权项 |
1.一种蚀刻介电层之方法,该方法至少包含以下步骤:进行第一蚀刻步骤,以蚀刻该介电层,使用之反应气体包含C4F8,其流量约为10sccm(立方公分/每分钟)至25sccm之间;以及CH3F,其流量约为5 sccm至20sccm之间;及进行第二蚀刻步骤,以加深蚀刻该介电层之深度,使用同于该第一蚀刻步骤之反应气体,并使用较该第一蚀刻步骤增加10%至40%之气体流量。2.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之第一蚀刻步骤之总气体流量为100sccm至150sccm之间。3.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之第一蚀刻步骤及上述之第二蚀刻步骤进行时之压力约为4毫托至10毫托之间。4.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之第一蚀刻步骤及上述之第二蚀刻步骤系用以形成复数个多重高度之接触窗于该介电层内。5.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之第一蚀刻步骤及上述之第二蚀刻步骤系使用反应性离子蚀刻。6.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之第一蚀刻步骤及上述之第二蚀刻步骤系使用磁场加强式之反应性离子蚀刻或是感应式耦合之电浆蚀刻。7.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之第一蚀刻步骤及上述之第二蚀刻步骤使用之电场能量约为1000瓦特至1500瓦特之间。8.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之反应气体更包含C2F6,其流量约为0.1sccm至10sccm之间。9.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之反应气体更包含氩气(Ar),其流量约为60sccm至150sccm之间。10.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之反应气体更包含一氧化碳(CO),其流量约为0.1sccm至10sccm之间;以及氧气(O2),其流量约为2sccm至10sccm之间。11.一种蚀刻介电层之方法,该方法至少包含以下步骤:进行第一蚀刻步骤,以蚀刻该介电层,使用之反应气体包含C4F8,其流量约为10sccm(立方公分/每分钟)至25sccm之间;CH3F,其流量约为5sccm至20sccm之间;氩气(Ar),其流量约为60sccm至150sccm之间;一氧化碳(CO),其流量约为0.1sccm至10sccm之间;以及氧气(O2),其流量约为2sccm至10sccm之间;及进行第二蚀刻步骤,以加深蚀刻该介电层之深度,使用同于该第一蚀刻步骤之反应气体,并使用较该第一蚀刻步骤增加10%至40%之气体流量。12.如申请专利范围第11项之方法,其中上述之第一蚀刻步骤之总气体流量为100sccm至150sccm之间。13.如申请专利范围第11项之方法,其中上述之第一蚀刻步骤及上述之第二蚀刻步骤进行时之压力约为4毫托至10毫托之间。14.如申请专利范围第11项之方法,其中上述之第一蚀刻步骤及上述之第二蚀刻步骤系用以形成复数个多重高度之接触窗于该介电层内。15.如申请专利范围第11项之方法,其中上述之第一蚀刻步骤及上述之第二蚀刻步骤系使用反应性离子蚀刻。16.如申请专利范围第11项之方法,其中上述之第一蚀刻步骤及上述之第二蚀刻步骤系使用磁场加强式之反应性离子蚀刻或是感应式耦合之电浆蚀刻。17.如申请专利范围第11项之方法,其中上述之第一蚀刻步骤及上述之第二蚀刻步骤使用之电场能量约为1000瓦特至1500瓦特之间。18.如申请专利范围第11项之方法,其中上述之反应气体更包含C2F6,其流量约为0.1sccm至10sccm之间。图式简单说明:第一图 显示传统制程中基材上形成闸极结构、导体结构、介电层及光阻层之截面示意图。第二图 显示传统制程中对介电层进行接触窗蚀刻后之截面示意图。第三图 显示本发明中提供一半导体基材,基材上并具有已形成之闸极结构、导体结构、介电层及光阻层之截面示意图。第四图 显示本发明中,基材进行第一蚀刻步骤后之截面示意图。第五图 显示本发明中,基材进行第二蚀刻步骤后,完成接触窗蚀刻之截面示意图。 |
