发明名称 |
一种Si-C-N陶瓷先驱体的制备方法 |
摘要 |
本发明公开了一种Si-C-N陶瓷先驱体的制备方法。将含硅的氯硅烷溶解在与水不互溶的有机溶剂中,经含-NH-的化合物的碱水溶液氨解,油相与水相分离,在有机溶剂的沸点温度旋转蒸发油相,得到液态聚硅氮烷;将液态聚硅氮烷置于三口烧瓶中,在N2、Ar或真空气氛保护下,于50~250℃持续固化反应12~72h,所得固态产物即为Si-C-N陶瓷先驱体。本发明采用界面聚合,避免了副产物对聚硅氮烷提纯与产率的影响,简化反应工序、缩短了反应时间;反应过程易于控制,合成产率高达90%,产物纯度高,热解产物具有优异的耐高温性能和抗氧化性能。 |
申请公布号 |
CN102660030B |
申请公布日期 |
2014.01.08 |
申请号 |
CN201210147324.9 |
申请日期 |
2012.05.14 |
申请人 |
浙江理工大学 |
发明人 |
姚菊明;王元前;刘琳;陈建军 |
分类号 |
C08G77/62(2006.01)I;C04B35/58(2006.01)I |
主分类号 |
C08G77/62(2006.01)I |
代理机构 |
杭州求是专利事务所有限公司 33200 |
代理人 |
林怀禹 |
主权项 |
一种Si‑C‑N陶瓷先驱体的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:(1)将含硅的氯硅烷溶解在与水不互溶的有机溶剂中,经含‑NH‑的化合物的碱水溶液氨解,油相与水相分离,在有机溶剂的沸点温度旋转蒸发油相,得到液态聚硅氮烷;其中,所述的含硅的氯硅烷为(CH3)2SiCl2,CH3SiCl3,SiCl4,(CH3)2Si(CH2Cl)2,CH3Si(CH2Cl)3,(C6H5)2SiCl2, (C6H5)(CH3)SiCl2,C6H5SiCl3,CH3(CH3CH2)SiCl2,(CH3)2ClSiSi(CH3)2Cl,CH3Cl2SiSiCH3Cl2, (CH2=CH)2SiCl2,(CH2=CH)(CH3)SiCl2 和(C6H5)(CH2=CH)SiCl2中的一种或者两种以上混合物;所述的含‑NH‑化合物为氨气、甲胺、二甲基胺、乙基胺、环丙基胺、肼、甲基肼、乙二胺、丁二胺、己二胺、苯胺、甲基苯胺、二苯基胺、胍、氨基胍、六甲基二硅氮烷、二苯基四甲基二硅氮烷、四苯基二硅氮烷、四甲基二乙烯基二硅氮烷、二苯基二甲基二乙烯基二硅氮烷或四甲基二硅氮烷;所述的氯硅烷中的Cl与含‑NH‑化合物中的‑NH‑摩尔比例为1:1~1:3.5;所述的氯硅烷中的Cl与碱水溶液中的‑OH摩尔比例为1:1~1:2;所述的氨解温度为‑25℃~40℃;(2)将液态聚硅氮烷置于三口烧瓶中,在N2、Ar或真空气氛保护下,于50~250℃持续固化反应12~72h,所得固态产物即为Si‑C‑N陶瓷先驱体。 |
地址 |
310018 浙江省杭州市江干经济开发区白杨街道2号大街5号 |