| 主权项 |
1.一种纵型处理装置,包含有:圆筒状的处理容器,系具有在内侧形成开口部之环状下端面;圆板状的盖,系具有对应于环状下端面之环状接合部,与形成于环状之接合部内侧之载置面;被处理体保持装置,系载置于盖之载置面,用以保持被处理体;环沟,系形成于盖之接合部;惰性气体导入路,系连通于环沟,用以导入惰性气体至环沟内;以及惰性气体喷射用开口,系设置于环沟之内周侧,用以连通环沟内与处理容器内部。2.如申请专利范围第1项所记载之纵型处理装置,其中,惰性气体喷射用开口,系遍及盖接合部环沟之内周侧全域,而形成环状。3.如申请专利范围第2项所记载之纵型处理装置,其中,惰性气体喷射用开口,系切削盖接合部环沟之内周侧全域而形成。4.如申请专利范围第1项所记载之纵型处理装置,其中,惰性气体喷射用开口,系在盖接合部环沟之内周侧空出间隔,而离散性地形成。5.如申请专利范围第4项所记载之纵型处理装置,其中,惰性气体喷射用开口,系在盖接合部环沟之内周侧大致等间隔的形成。6.如申请专利范围第4项所记载之纵型处理装置,其中,惰性气体导入路,系对应于形成惰性气体喷射用开口的位置,复数配置。7.如申请专利范围第1项所记载之纵型处理装置,其中,处理容器系为对被处理体施行氧化处理或扩散处理之处理容器。8.如申请专利范围第1项所记载之纵型处理装置,其中,处理容器系石英制者。9.如申请专利范围第1项所记载之纵型处理装置,其中,盖系石英制者。10.一种纵型处理装置,包含有:圆筒状的处理容器,系具有在内侧形成开口部之环状下端面;圆板状的盖,系具有对应于环状下端面之环状接合部,与形成于环状接合部之内侧的载置面;被处理体保持装置,系载置于盖之载置面,用以保持被处理体;环沟,系形成于处理容器之环状下端面;惰性气体导入路,系连通于环沟,用以导入惰性气体至环沟内;以及惰性气体喷射用开口,系设置于环沟之内周侧,用以连通环沟内与处理容器内部。11.如申请专利范围第10项所记载之纵型处理装置,其中,惰性气体喷射用开口,系遍及处理容器环状下端面的环沟之内周侧全域,形成环状。12.如申请专利范围第11项所记载之纵型处理装置,其中,惰性气体喷射用开口,系切削处理容器环状下端面的环沟之内周侧全域,而形成。13.如申请专利范围第10项所记载之纵型处理装置,其中,惰性气体喷射用开口,系在处理容器之环状下端面环沟之内周侧空出间隔,而离散性地形成。14.如申请专利范围第13项所记载之纵型处理装置,其中,惰性气体喷射用开口,系在处理容器之环状下端面环沟之内周侧大致等间隔的形成。15.如申请专利范围第13项所记载之纵型处理装置,其中,惰性气体导入路,系对应于形成惰性气体喷射用开口的位置,复数配置。16.如申请专利范围第10项所记载之纵型处理装置,其中,处理容器系为对被处理体施行氧化处理或扩散处理之处理容器。17.如申请专利范围第10项所记载之纵型处理装置,其中,处理容器系石英制者。18.如申请专利范围第10项所记载之纵型处理装置,其中,盖系石英制者。图式简单说明:第一图表示本发明的纵型处理装置之一实施例之构成图;第二图表示第一图的盖之平面图;第三图系表示第一图的处理容器与盖之接合部,即处理容器与盖接触状态之部份扩大断面图;第四图系表示第一图的处理容器与盖之接合部,即处理容器与盖离间状态之部份扩大断面图;第五图表示处理容器下端部之部份扩大断面图;第六图系盖周边部之部份扩大断面图;第七图系氯化氢之测漏结果表示图;第八图系氧化膜之成膜前后粒子之变化量表示图;第九图系氧化膜膜厚之均一性表示图;第十图系本发明其他之实施例的表示图;第十一图表示习知之一般的纵型处理装置之概略构成图;第十二图表示第十一图的盖之平面图;第十三图表示第十一图的处理容器与盖之密封构造之部份扩大图。 |
