| 发明名称 | 无机聚硅氮烷、含有它的二氧化硅膜形成用涂布液以及二氧化硅膜的形成方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种在水蒸汽等氧化剂中的烧成工序中的收缩小、并且不易发生二氧化硅膜的龟裂以及与半导体基板的剥离的无机聚硅氮烷以及含有无机聚硅氮烷的二氧化硅膜形成用涂布液。本发明提供一种无机聚硅氮烷，其中，在1H-NMR光谱中，将4.75ppm以上且低于5.4ppm的范围的峰面积设定为A，将4.5ppm以上且低于4.75ppm的范围的峰面积设定为B，将4.2ppm以上且低于4.5ppm的范围的峰面积设定为C时，A/（B+C）的值为0.9～1.5，（A+B）/C的值为4.2～50，而且，根据聚苯乙烯换算值得到的质均分子量为2000～20000；本发明还提供含有该无机聚硅氮烷的二氧化硅膜形成用涂布液。 | ||
| 申请公布号 | CN103502318A | 申请公布日期 | 2014.01.08 |
| 申请号 | CN201280020940.6 | 申请日期 | 2012.04.09 |
| 申请人 | 株式会社艾迪科 | 发明人 | 森田博;小林纯;横田洋大;降幡泰久 |
| 分类号 | C08G77/62(2006.01)I;C01B21/082(2006.01)I;C01B33/12(2006.01)I;C08K5/00(2006.01)I;C08L83/16(2006.01)I;C09D183/16(2006.01)I;H01L21/316(2006.01)I | 主分类号 | C08G77/62(2006.01)I |
| 代理机构 | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人 | 张楠;陈建全 |
| 主权项 | 一种无机聚硅氮烷，其中，在1H‑NMR光谱中，将4.75ppm以上且低于5.4ppm的范围的峰面积设定为A，将4.5ppm以上且低于4.75ppm的范围的峰面积设定为B，将4.2ppm以上且低于4.5ppm的范围的峰面积设定为C时，A/（B+C）的值为0.9～1.5，（A+B）/C的值为4.2～50，而且，根据聚苯乙烯换算值得到的质均分子量为2000～20000。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||