光电探测器、外延晶片及其生产方法

摘要

提供了以下内容：一种光电探测器，其中，在具有近红外区到远红外区中的灵敏度的III-V半导体中，可以以高精度来控制载流子浓度；一种外延晶片，其形成用于光电探测器的材料；以及，一种用于制作外延晶片的方法。本发明提供有：衬底，其包括III-V族化合物半导体；光接收层，其用于接收光；窗口层，其具有比光接收层大的带隙能量；以及，p-n结，其至少被定位在光接收层处；并且特征在于，窗口层表面的均方根表面粗糙度为10nm或更大且40nm或更小。

主权项

一种光电探测器，包括：衬底，所述衬底由III‑V族化合物半导体形成；吸收层，所述吸收层被定位在所述衬底上，并且被配置为吸收光；窗口层，所述窗口层被定位在所述吸收层上，并且具有比所述吸收层大的带隙能量；以及p‑n结，所述p‑n结至少被定位在所述吸收层中，其中，所述窗口层具有下述表面，所述表面具有10nm或更大且40nm或更小的均方根表面粗糙度。