| 主权项 |
1.一种半导体积体电路,包括:一输入接点;一内部电路;一转移闸,连接在上述输入接点与内部电路之间;一定位元件,与该转移闸相连以保护该转移闸。2.如申请专利范围第1项所述之半导体积体电路,其中:该转移闸系为MIS电晶体,且其源极或汲极与上述内部电路相连;及此定位元件系连接于前MIS电晶体之闸极与该源极或汲极之间。3.如申请专利范围第2项所述之半导体积体电路,其中前述MIS电晶体之闸极系与一内部电压源或外部电压源相连。4.如申请专利范围第2项所述之半导体积体电路,其中该定位元件为横向双极电晶体。5.如申请专利范围第2项所述之半导体积体电路,其中该定位元件为另一个MIS电晶体,而该MIS电晶体之闸极包括一绝缘薄膜,用以当作该转移闸;且其绝缘薄膜较前述MIS电晶体之绝缘薄膜要厚。6.如申请专利范围第5项所述之半导体积体电路,其中:该转移闸之闸极,系与该定位元件之源极或汲极相连;该定位元件之闸极,系与该定位元件之源极或汲极连接;及该定位元件之源极或汲极,系与前述转移闸之源极或汲极相连。7.如申请专利范围第1项所述之半导体积体电路,其中该定位元件系邻近前述之转移闸。8.一种半导体积体电路,包括:一输入接点;一MIS电晶体,其闸极系与电源供应器或地相连,且其中此MIS电晶体之源极或汲极系连接于上述输入接点;及一定位元件,系连接于此闸极与此源极或汲极之间。9.如申请专利范围第8项所述之半导体积体电路,其中该定位元件系包括一横向双极电晶体。10.如申请专利范围第8项所述之半导体积体电路,其中该定位元件包括另一个MIS电晶体,而该MIS电晶体之闸极包括一绝缘薄膜,用以当作该转移闸;且其绝缘薄膜较前述MIS电晶体之绝缘薄膜要厚。11.一种半导体积体电路,包括:一输入接点;一MIS电晶体,其闸极系与上述输入接点相连,且其中此MIS电晶体之源极或汲极系与电源供应器或地相连;及一定位元件,系连接于此闸极与源极或汲极之间,且该定位元件包括一横向双极电晶体,与此MIS电晶体相邻。12.一种半导体积体电路,包括:一输入接点;一MIS电晶体,其闸极系与上述输入接点相连,且其中此MIS电晶体之源极或汲极系与电源供应器或地相连;及一定位元件,系连接于此闸极与此源极或汲极之间,且该定位元件包括另一个MIS电晶体,其闸极包括一绝缘薄膜,较前述MIS电晶体之绝缘薄膜要厚。图示简单说明:第一图为本发明之半导体积体电路的电路图。第二图为本发明之半导体积体电路的其它电路图。 |
