| 主权项 |
1.一种平坦化具有介多晶矽(interpoly)层之半导体结构的方法,至少包含下列步骤:形成一无掺杂矽玻璃层于一半导体基板上,该无掺杂矽玻璃层系作为该介多晶矽层;形成一旋涂玻璃层于该无掺杂矽玻璃层上;及回蚀该旋涂玻璃层直到该无掺杂矽玻璃层之表面为平坦,因而平坦化具有该介多晶矽层之该半导体结构。2.如申请专利范围第1项之方法,于形成该无掺杂矽玻璃层之前,更包含形成一榇里层于该多晶矽区域及该基板上。3.如申请专利范围第2项之方法,其中上述之榇里层系由低压次大气压化学气相沈积法(LPSACVD)所形成。4.如申请专利范围第2项之方法,于形成该榇里层之前,更包含形成一氮氧化物层。5.如申请专利范围第2项之方法,于形成该榇里层之前或之后,更包含以氮气-电浆处理该榇里层。6.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之无掺杂矽玻璃层系以氧化反应臭氧-四乙基矽酸盐(TEOS)而形成。7.如申请专利范围第6项之方法,其中上述之无掺杂矽玻璃层系以次大气压化学气相沈积法(SACVD)所形成。8.如申请专利范围第1项之方法,更包含形成一盖层于该无掺杂矽玻璃层上。9.如申请专利范围第1项之方法,于形成该旋涂玻璃层之前,更包含密集化该无掺杂矽玻璃层。10.如申请专利范围第9项之方法,其中上述之无掺杂矽玻璃层系于温度约700-850℃予以密集化。11.如申请专利范围第1项之方法,于形成该旋涂玻璃层之后,更包含密集化该无掺杂矽玻璃层。12.如申请专利范围第11项之方法,其中上述之无掺杂矽玻璃层系于温度约700-850℃予以密集化。13.如申请专利范围第1项之方法,更包含烘培该旋涂玻璃层。14.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之旋涂玻璃层系以电浆制程予以回蚀。15.一种平坦化具有介多晶矽(interpoly)层之半导体结构的方法,至少包含下列步骤:形成一无掺杂矽玻璃层于一半导体基板上,该无掺杂矽玻璃层系以氧化反应臭氧-四乙基矽酸盐(TEOS)而形成,且该无掺杂矽玻璃层系作为该介多晶矽层;密集化该无掺杂矽玻璃层;形成一旋涂玻璃层于该无掺杂矽玻璃层上;及回蚀该旋涂玻璃层直到该无掺杂矽玻璃层之表面为平坦,因而平坦化具有该介多晶矽层之该半导体结构。16.如申请专利范围第15项之方法,其中上述之无掺杂矽玻璃层系以次大气压化学气相沈积法(SACVD)所形成。17.如申请专利范围第15项之方法,其中上述之无掺杂矽玻璃层系于温度约700-850℃予以密集化。18.一种平坦化具有介多晶矽(interpoly)层之半导体结构的方法,至少包含下列步骤:形成一无掺杂矽玻璃层于一半导体基板上,该无掺杂矽玻璃层系以氧化反应臭氧-四乙基矽酸盐(TEOS)而形成,且该无掺杂矽玻璃层系作为该介多晶矽层;形成一旋涂玻璃层于该无掺杂矽玻璃层上;密集化该无掺杂矽玻璃层;及回蚀该旋涂玻璃层直到该无掺杂矽玻璃层之表面为平坦,因而平坦化具有该介多晶矽层之该半导体结构。19.如申请专利范围第18项之方法,其中上述之无掺杂矽玻璃层系以次大气压化学气相沈积法(SACVD)所形成。20.如申请专利范围第18项之方法,其中上述之无掺杂矽玻璃层系于温度约700-850℃予以密集化。图示简单说明:第一图第一图显示根据本发明其中一实施例之剖面图。第二图显示本发明最后形成之结构剖面图。 |
