| 主权项 |
1.一种解决胶带残留于晶圆正面之导线板之方法,该方法至少包含下列步骤:提供上述之正面至少具有金属导线之该晶圆基材;形成护层于该晶圆基材之上;形成具有斜度之光阻图案于护层上以定义该金属导线之导线板区;及蚀刻该护层以曝露出该导线板区。2.如申请专利范围第1项之方法,在蚀刻该护层之后更包含以下步骤:去除该光阻图案;以胶带粘贴于该护层及该导线板区上;进行晶圆背面之研磨;及去除该胶带。3.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之护层系氧化层。4.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之光阻图案的斜度约25-40并且其倾斜系向接近该定义之导线板区的方向逐渐变薄。5.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之具有斜度之光阻图案之形成步骤包含:形定该光阻图案于护层上;及以含氧的电浆蚀刻剂以等向性蚀刻该光阻。6.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之蚀刻护层以曝露出导线板的步骤系以该具有斜度之光阻图案为罩幕施以一非等向性蚀刻方法蚀刻。7.一种解决残留胜带于晶圆正面之之方法,该方法至少包含下列步骤:提供上述之正面之该晶圆基材;形成护层于该晶圆基材之上;形成具有斜度之光阻图案于护层上以定义该晶圆基材之曝露部分;及蚀刻该护层以曝露出该晶圆基材。8.如申请专利范围第7项之方法,在蚀刻该谟层之后更包含以下步骤:以胶带粘贴于该护层及该晶圆基材之曝露部分;进行晶圆背面之研磨;及去除该胶带。9.如申请专利范围第7项方法,其中上述之护层系氧化层。10.如申请专利范围第7项之方法,其中上述之光阻图案的斜度约25-40并且其倾斜系向接近该定义之该晶圆基材之曝露部分的方向逐渐变薄。11.如申请专利范围第7项之方法,其中上述之具有斜度之光阻图案之形成步骤包含:形成该光阻图案于护层上;及以含氧的电浆蚀刻剂以等向性蚀刻该光阻。12.如申请专利范围第7项之方法,其中上述之蚀刻护层以曝露出导线板的步骤系以该具有斜度之光阻图案为罩幕施以一非等向性蚀刻方法蚀刻。图示简单说明:第一图示以扫描式电子显微镜观察在导线板上有残留胶带之俯视示意图;第二图显示依据传统方法曝出之光阻层形成于护层上其边缘陡峭的横截面示意图;第三图A显示依据本发明之方法形成斜向的轮廓的光阻图案于护层的横截面示意图;第三图B显示依据本发明之方法经已斜向的轮廓的光阻图案蚀刻护层后的横截面示意;及第三图C之SEM照片显示经已斜向的轮廓的光阻图案蚀刻护层后的横截面。 |
