| 主权项 |
1.一种浅沟渠隔离区的制造方法,包括下列步骤:提供一基底;在该基底上形成一垫氧化层;在该垫氧化层上形成一罩幕层;定义该罩幕层与该垫氧化层,并在该基底中形成一沟渠;在该沟渠所裸露的该基底表面形成一衬氧化层;在该基底上形成一掺杂的氧化矽层,且填满该沟渠;以该罩幕层为终止层,去除部份该掺杂的氧化矽层,直到裸露出该罩幕层;去除该罩幕层;以及去除该垫氧化层。2.如申请专利范围第1项所述之浅沟渠隔离区之制造方法,其中形成该垫氧化层的方法包括热氧化法。3.如申请专利范围第1项所述之浅沟渠隔离区之制造方法,其中该罩幕层之材质包括氮化矽。4.如申请专利范围第1项所述之浅沟渠隔离区的制造方法,其中该掺杂的绝缘层包括氧化矽层。5.如申请专利范围第1项所述之浅沟渠隔离区的制造方法,其中该掺杂的绝缘层的掺质系选自一族群,该族群系由硼和磷所组成。6.如申请专利范围第1项所述之浅沟渠隔离区的制造方法,其中形成该掺杂的绝缘层之后,可包括一密实化步骤。7.如申请专利范围第1项所述之浅沟渠隔离区的制造方法,其中去除部份该掺杂的绝缘层的方法包括化学机械研磨法。8.如申请专利范围第1项所述之浅沟渠隔离区的制造方法,其中去除该罩幕层的方法包括湿式蚀刻法。9.如申请专利范围第1项所述之浅沟渠隔离区的制造方法,其中去除该垫氧化层的方法包括湿式蚀刻法。10.一种浅沟渠隔离区的制造方法,包括下列步骤:提供一基底;在该基底上形成一垫氧化层;在该垫氧化层上形成一罩幕层;定义该罩幕层与该垫氧化层,并在该基底中形成一沟渠;在该沟渠所裸露的该基底表面形成一衬氧化层;在该基底上形成一掺杂的氧化矽层,且填满该沟渠;以该罩幕层为终止层,去除部份该掺杂的氧化矽层,直到裸露出该罩幕层;去除该罩幕层;以及去除该垫氧化层。11.如申请专利范围第10项所述之浅沟渠隔离区之制造方法,其中形成该垫氧化层的方法包括热氧化法。12.如申请专利范围第10项所述之浅沟渠隔离区之制造方法,其中该罩幕层之材质包括氮化矽。13.如申请专利范围第10项所述之浅沟渠隔离区的制造方法,其中该掺杂的氧化矽层的掺质系选自一族群,该族群系由硼和磷所组成。14.如申请专利范围第10项所述之浅沟渠隔离区的制造方法,其中形成该掺杂的氧化矽层之后,可包括一密实化步骤。15.如申请专利范围第10项所述之浅沟渠隔离区的制造方法,其中去除部份该掺杂的氧化矽层的方法包括化学机械研磨法。16.如申请专利范围第10项所述之浅沟渠隔离区的制造方法,其中去除该罩幕层的方法包括湿式蚀刻法。17.如申请专利范围第10项所述之浅沟渠隔离区的制造方法,其中去除该垫氧化层的方法包括湿式蚀刻法。18.一种浅沟渠隔离区的制造方法,包括下列步骤:提供一基底;在该基底上形成一垫氧化层;在该垫氧化层上形成一罩幕层;定义该罩幕层与该垫氧化层,并在该基底中形成一沟渠;在该沟渠所裸露的该基底表面形成一衬氧化层;在该基底上形成一掺杂的绝缘层,且填满该沟渠;移除部份该掺杂的绝缘层,直到裸露出该衬氧化层;在该掺杂的绝缘层上形成一绝缘层,且填满该沟渠;以该罩幕层为终止层,去除部份的该绝缘层,直到裸露出该罩幕层;去除该罩幕层;以及去除该垫氧化层。19.如申请专利范围第18项所述之浅沟渠隔离区之制造方法,其中形成该垫氧化层的方法包括热氧化法。20.如申请专利范围第18项所述之浅沟渠隔离区之制造方法,其中该罩幕层之材质包括氮化矽。21.如申请专利范围第18项所述之浅沟渠隔离区的制造方法,其中该掺杂的绝缘层包括氧化矽层。22.如申请专利范围第18项所述之浅沟渠隔离区的制造方法,其中该掺杂的绝缘层的掺质系选自一族群,该族群系由硼和磷所组成。23.如申请专利范围第18项所述之浅沟渠隔离区的制造方法,其中形成该掺杂的绝缘层之后,可包括一密实化步骤。24.如申请专利范围第18项所述之浅沟渠隔离区的制造方法,其中该绝缘层包括氧化矽层。25.如申请专利范围第18项所述之浅沟渠隔离区的制造方法,其中形成该绝缘层之后,可包括一密实化步骤。26.如申请专利范围第18项所述之浅沟渠隔离区的制造方法,其中移除部份该掺杂的绝缘层的方法包括回蚀刻步骤。27.如申请专利范围第18项所述之浅沟渠隔离区的制造方法,其中去除部份该绝缘层的方法包括化学机械研磨法。28.如申请专利范围第18项所述之浅沟渠隔离区的制造方法,其中去除该罩幕层的方法包括湿式蚀刻法。29.如申请专利范围第18项所述之浅沟渠隔离区的制造方法,其中去除该垫氧化层的方法包括湿式蚀刻法。30.一种浅沟渠隔离区的制造方法,包括下列步骤:提供一基底;在该基底上形成一垫氧化层;在该垫氧化层上形成一罩幕层;定义该罩幕层与该垫氧化层,并在该基底中形成一沟渠;在该沟渠所裸露的该基底表面形成一衬氧化层;在该基底上形成一掺杂的氧化矽层,且填满该沟渠;移除部份该掺杂的氧化矽层,直到裸露出该衬氧化层;在该掺杂的氧化矽层上形成一氧化矽层,且填满该沟渠;以该罩幕层为终止层,去除部份的该氧化矽层,直到裸露出该罩幕层;去除该罩幕层;以及去除该垫氧化层。31.如申请专利范围第30项所述之浅沟渠隔离区之制造方法,其中形成该垫氧化层的方法包括热氧化法。32.如申请专利范围第30项所述之浅沟渠隔离区之制造方法,其中该罩幕层之材质包括氮化矽。33.如申请专利范围第30项所述之浅沟渠隔离区的制造方法,其中该掺杂的氧化矽层的掺质系选自一族群,该族群系由硼和磷所组成。34.如申请专利范围第30项所述之浅沟渠隔离区的制造方法,其中形成该掺杂的氧化矽层之后,可包括一密实化步骤。35.如申请专利范围第30项所述之浅沟渠隔离区的制造方法,其中形成该氧化矽层之后,可包括一密实化步骤。36.如申请专利范围第30项所述之浅沟渠隔离区的制造方法,其中移除部份该掺杂的氧化矽层的方法包括回蚀刻步骤。37.如申请专利范围第30项所述之浅沟渠隔离区的制造方法,其中去除部份该氧化矽层的方法包括化学机械研磨法。38.如申请专利范围第30项所述之浅沟渠隔离区的制造方法,其中去除该罩幕层的方法包括湿式蚀刻法。39.如申请专利范围第30项所述之浅沟渠隔离区的制造方法,其中去除该垫氧化层的方法包括湿式蚀刻法。40.一种浅沟渠隔离区的制造方法,包括下列步骤:提供一基底;在该基底上形成一垫氧化层;在该垫氧化层上形成一罩幕层;定义该罩幕层与该垫氧化层,并在该基底中形成一沟渠;在该沟渠所裸露的该基底表面形成一衬氧化层;在该沟渠中形成一掺杂的绝缘层;去除该罩幕层;以及去除该垫氧化层。41.如申请专利范围第40项所述之浅沟渠隔离区之制造方法,其中形成该垫氧化层的方法包括热氧化法。42.如申请专利范围第40项所述之浅沟渠隔离区之制造方法,其中该罩幕层之材质包括氮化矽。43.如申请专利范围第40项所述之浅沟渠隔离区的制造方法,其中形成该掺杂的绝缘层的方法包括:在该基底上形成一掺杂的氧化矽层,且填满该沟渠;移除部份该掺杂的氧化矽层,直到裸露出该衬氧化层;在该掺杂的氧化矽层上形成一氧化矽层,且填满该沟渠;以及以该罩幕层为终止层,去除部份该氧化矽层,直到裸露出该罩幕层,进而在该沟渠中形成该掺杂的绝缘层。44.如申请专利范围第43项所述之浅沟渠隔离区的制造方法,其中该掺杂的氧化矽层的掺质系选自一族群,该族群系由硼和磷所组成。45.如申请专利范围第43项所述之浅沟渠隔离区的制造方法,其中形成该掺杂的氧化矽层之后,可包括一密实化步骤。46.如申请专利范围第43项所述之浅沟渠隔离区的制造方法,其中移除部份该掺杂的氧化矽层的方法包括回蚀刻步骤。47.如申请专利范围第43项所述之浅沟渠隔离区的制造方法,其中形成该氧化矽层之后,可包括一密实化步骤。48.如申请专利范围第43项所述之浅沟渠隔离区的制造方法,其中去除部份该氧化矽层的方法包括化学机械研磨法。49.如申请专利范围第40项所述之浅沟渠隔离区的制造方法,其中去除该罩幕层的方法包括湿式蚀刻法。50.如申请专利范围第40项所述之浅沟渠隔离区的制造方法,其中去除该垫氧化层的方法包括湿式蚀刻法。图式简单说明:第一图A至第一图F系绘示传统式浅沟渠隔离区之制造流程的剖面图;第二图A至第二图F系绘示根据本发明之第一实施例,一种浅沟渠隔离区之制造流程的剖面图;以及第三图A至第三图H系绘示根据本发明之第二实施例,一种浅沟渠隔离区之制造流程的剖面图。 |
