绝缘体上硅芯片上的独立电压控制的硅区域

摘要

一种半导体芯片（100）具有独立电压控制的硅区域（110），该独立电压控制的硅区域是用于控制eDRAM沟槽电容器（140）的电容值和叠置在独立电压控制的硅区域（110）上的场效晶体管（130）的阈值电压的电路元件。独立电压控制的硅区域（110）的底部或地板是深注入区（105），该深注入区的掺杂与独立电压控制的硅区域（110）的掺杂相反。独立电压控制的硅区域（110）的顶部或天花板是诸如注入在基板中的埋设的氧化物（103）。独立电压控制的硅区域的侧部是深沟槽隔离（106）。通过接触结构（107）施加独立电压控制的硅区域（110）的电压，该接触结构（107）形成得通过埋设的氧化物（103）。

主权项

一种半导体芯片（100），包括：独立电压控制的硅区域（110），还包括：深注入区（105），该深注入区（105）的掺杂与该半导体芯片（100）的基板掺杂相反，该深注入区（105）形成该独立电压控制的硅区域（110）的底部；埋设的氧化物（103），形成该独立电压控制的硅区域（110）的顶部；深沟槽隔离（106），形成该独立电压控制的硅区域（110）的侧部；以及接触结构（107），由穿过该埋设的氧化物（103）形成的导电材料制成，以对该独立电压控制的硅区域（110）提供电接触。