| 发明名称 | 一种薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板、显示器 | ||
| 摘要 | 本发明实施例提供了一种薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板、显示器，涉及显示技术领域；可以保持所述薄膜晶体管高的开态电流的同时降低所述薄膜晶体管的漏电流，保证所述薄膜晶体管性能的可靠性。该薄膜晶体管包括：栅极、栅绝缘层、有源层、源极和漏极；其中，所述有源层包括一层第一有源层和一层第二有源层，且所述第一有源层设置在靠近所述栅绝缘层一侧，所述第二有源层设置在靠近所述源极和漏极一侧；所述第一有源层的载流子迁移率大于所述第二有源层的载流子迁移率。用于需要保持所述薄膜晶体管高开态电流的同时降低所述薄膜晶体管的漏电流的所述薄膜晶体管制造，以及包括所述薄膜晶体管的所述阵列基板及所述显示器的制造。 | ||
| 申请公布号 | CN103500764A | 申请公布日期 | 2014.01.08 |
| 申请号 | CN201310495817.6 | 申请日期 | 2013.10.21 |
| 申请人 | 京东方科技集团股份有限公司;北京京东方显示技术有限公司 | 发明人 | 黄常刚;张振宇 |
| 分类号 | H01L29/786(2006.01)I;H01L29/24(2006.01)I;H01L27/12(2006.01)I;H01L21/34(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/786(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人 | 申健 |
| 主权项 | 一种薄膜晶体管，包括：栅极、栅绝缘层、有源层、源极和漏极；其特征在于，所述有源层包括一层第一有源层和一层第二有源层，且所述第一有源层设置在靠近所述栅绝缘层一侧，所述第二有源层设置在靠近所述源极和漏极一侧；其中，所述第一有源层的载流子迁移率大于所述第二有源层的载流子迁移率。 | ||
| 地址 | 100015 北京市朝阳区酒仙桥路10号 | ||