| 主权项 |
1.一种电解电容器,具备有:(a)包含有阳极、阴极及前述阳极和前述阴极间所设置固体有机导电构件之电容器元件;(b)电解液;(c)将前述电容器元件和前述电解液收纳之盒具;及(d)将前述盒具开口部覆盖所设置之封口构材。2.如申请专利范围第1项之电解电容器,其中前述阳极系含有金属箔及前述金属箔表面所形成之介电体氧化皮膜,并具有阀作用者。3.如申请专利范围第1项之电解电容器,其中前述盒具系由有底筒状的金属所形成者。4.如申请专利范围第1项之电解电容器,其中前述固体有机导电构材系具有有机半导体者。5.如申请专利范围第1项之电解电容器,其中前述固体有机导电构材系具有导电性高分子者。6.如申请专利范围第1项之电解电容器,其中前述固体有机导电构材,系具有有机半导体及导电性高分子者。7.如申请专利范围第4项之电解电容器,其中前述有机半导体系具有7,7,8,8,四氰奎诺二甲烷配位化合物及其衍生物至少其中之一种者。8.如申请专利范围第5项之电解电容器,其中前述导电性高分子,系由咯、苯胺、rjtg吩、乙烯二羟基rjtg吩、磺化苯胺、磺化咯、磺化吩、磺化乙烯二羟基rjtg吩及此类衍生物所组成群选取其中至少1种单体之聚合物者。9.如申请专利范围第5项之电解电容器,其中前述导电性高分子,系具有由液相化学聚合组成物、气相聚合组成物、液相之电解聚合组成物、可溶性高分子溶液之乾燥残渣高分子所构成群选取至少其中1种之高分子者。10.如申请专利范围第5项之电解电容器,其中前述导电性高分子,系含有由聚咯、聚乙烯二羟rjtg吩、聚苯胺所组成群选取至少其中1种单体经化学聚合反应所形成之高分子者。11.如申请专利范围第5项之电解电容器,其中前述导电性高分子系含有由聚咯、聚乙烯二羟rjtg吩、聚苯胺所组成群选取至少其中1种单体经电解聚合反应所形成之高分子者。12.如申请专利范围第5项之电解电容器,其中前述导电性高分子,系具有可溶性磺化聚苯胺溶液之乾燥残渣高分子者。13.如申请专利范围第1项之电解电容器,其中前述固体有机导电构材,系含有有机半导体及导电性高分子其中至少1种、以及可溶性磺化聚苯胺溶液之乾燥残渣高分子者。14.如申请专利范围第1项之电解电容器,其中前述电解液,系含有有机溶媒,及前述有机溶媒中所溶解之有机盐及无机盐至少其中1种电解质者。15.如申请专利范围第15项之电解电容器,其中前述固体有机导电构材,系于前述有机溶媒中有膨胀可能者。16.如申请专利范围第14项之电解电容器,其中前述电解液含有电解质;而其中前述电解质之盐基成份,在30℃测定温度中,盐基或盐基氢氧化物1%重量水溶液中系含有氢离子浓度1.010-13莫耳/dm3以上。17.如申请专利范围第14项之电解电容器,其中前述电解液系含有由具有烷基取代基之化合物、具有烷基取代基化合物之4级盐、三级胺、以及铵所组成群选取至少其中1种者。18.如申请专利范围第17项之电解电容器,其中前述电解液系含有具有烷基取代基化合物之4级盐;而前述具有烷基取代基化合物4级盐其中之烷基取代基,系碳原子数1-11之烷基及芳烷基其中之1种,又,前述具有烷基取代基化合物4级盐中之含有基化合物,系由咪唑化合物、苯并咪唑化合物、以及脂环式化合物所组成群选取至少其中1种者。19.如申请专利范围第14项之电解电容器,其中前述电解液,系含有由:1-甲基-1,8-二氮杂二环[5,4,0]7-碳烯-7.1-甲基-1,5-二氮杂二环[5,3,0]壬烯-5.1,2,3-三甲基咪唑盐、1,2,3,4-四甲基咪唑盐、1,2-二甲基-3-乙基-咪唑盐、1,3,4-三甲基-2-乙基咪唑盐、1,3-二甲基-2-庚基咪唑盐、1,3-二甲基-2(-3'庚基)咪唑盐、1,3-二甲基-2-十二烷基咪唑盐、1,2,3-三甲基-1,4,5,6-四氢化嘧啶盐、1,3-二甲基咪唑盐、1-甲基-3-乙基-咪唑盐,以及1,3-二甲基苯并咪唑盐所组成群选取至少其中1种具有烷基取代基化合物之4级盐者。20.如申请专利范围第14项之电解电容器,其中前述电解液,系具有由:(1)沸点200℃以上;(2)在测定温度30℃之导电量1.0mS/cm 以上;(3)火花发生电压80V以上所组成群选取至少其中1种性质者。21.一种电解电容器的制造方法,具备有:(a)制作阳极之步骤;(b)制作阴极之步骤;(c)在前述阳极的表面,形成固体有机导电体构材之步骤;及(d)具有前述固体有机导电体构材之前述阳极和前述阴极间使电解液介入之步骤。22.如申请专利范围第21项之电解电容器的制造方法,其中前述(c)步骤中之前述固体有机导电体构材,系有机半导体及导电性高分子之中至少1种者。23.如申请专利范围第21项之电解电容器的制造方法,其中前述(c)步骤,系于前述阳极之表面附着含有聚合可能之单体溶液,所附着之前述单体产生聚合反应而形成前述固体有机导电体构材者。24.如申请专利范围第21项之电解电容器的制造方法,其中前述固体有机导电体构材,系具有7,7,8,8,四氰诺二甲烷配位化合物及其衍生物至少其中1种之有机半导体者。25.如申请专利范围第21项之电解电容器的制造方法,其中前述(c)步骤中系于前述阳极之表面,附着由:咯、苯胺、rjtg吩、乙烯二羟rjtg吩、磺化苯胺、磺化咯、磺化rjtg吩、磺化乙烯二羟基rjtg吩及此类之衍生物所组成群选取至少含有其中1种单体之溶液,并使所附着之前述单体产生聚合反应,以形成前述固体有机导电体构材者。26.如申请专利范围第21项之电解电容器的制造方法,其中前述(c)步骤中系于前述阳极之表面,附着含有聚合可能的单体溶液,并使前述所附着之前述单体产生液相化学聚合反应,以形成固体有机导电体构材者。27.如申请专利范围第21项之电解电容器的制造方法,其中前述(c)步骤中,系于前述阳极之表面,在聚合可能的单体气相环境中,使前述单体接触产生气相聚合反应,以形成固体有机导电体构材者。28.如申请专利范围第21项之电解电容器的制造方法,其中前述(c)步骤中,系将前述阳极浸渍于具有聚合可能的单体溶液之中;且将前述单体电解聚合反应,而于前述阳极之表面以形成固体有机导电体构材者。29.如申请专利范围第21项之电解电容器的制造方法,其中前述(c)步骤中,系形成有机半导体及导电性高分子至少其中1种之前述固体有机导电体构材;之后,再将形成有前述固体有机导电体构材之前述阳极浸渍于可溶性高分子溶液之中;之后经乾燥处理而于前述固体有机导电体构材的表面,以形成前述可溶性高分子溶液之乾燥残渣高子者。30.如申请专利范围第21项之电解电容器的制造方法,其中前述固体有机导电体构材系于前述电解液中有膨胀之状态者。31.如申请专利范围第21项之电解电容器的制造方法,其中前述固体有机导电体构材,系含有7,7,8,8,四氰奎诺二甲烷配位化合物以及其衍生物至少其中1种之有机半导体者。32.如申请专利范围第21项之电解电容器的制造方法,其中前述固体有机导电体构材系含有咯、苯胺、rjtg吩、乙烯二羟rjtg吩、磺化苯胺、磺化咯、磺化rjtg吩、磺化乙烯二羟基rjtg吩及此类之衍生物所组成群选取至少其中1种单体之聚合物者。图式简单说明:第一图(a)系显示根据本发明第1实施形态电解电容器构成之局部断面斜视图;第一图(b)系第一图(a)中所表示之电解电容器元件的重要部分业经扩大后之概念图;第二图(a)-第二图(g)系制造本发明电解电容器阳极箔之制造步骤图。 |
