发明名称 碳化硅基板的制造方法
摘要 一种制造碳化硅基板的方法,包括制备单结晶碳化硅的晶块(1)的步骤和通过切割晶块(1)获得基板的步骤。然后,在获得基板的步骤中,在如下方向上进行切割:该方向相对于晶块(1)的<11-20>方向或<1-100>方向所形成的角度在{0001}面上的正投影中是15°±5°。
申请公布号 CN103503119A 申请公布日期 2014.01.08
申请号 CN201280021347.3 申请日期 2012.05.09
申请人 住友电气工业株式会社 发明人 冲田恭子
分类号 H01L21/304(2006.01)I 主分类号 H01L21/304(2006.01)I
代理机构 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 代理人 王伟;安翔
主权项 一种碳化硅基板的制造方法,包括如下步骤:制备单结晶碳化硅的结晶(1);以及通过切割所述结晶(1)来获得基板(3),在所述获得基板(3)的步骤中,在如下方向上进行切割:所述方向相对于所述结晶(1)的<11‑20>方向或<1‑100>方向所形成的角度在{0001}面上的正投影中是15°±5°。
地址 日本大阪府大阪市