发明名称 |
N型晶体硅高效双面电池片 |
摘要 |
本实用新型提供了一种N型晶体硅高效双面电池片,包括P形硅,P形硅的两侧分别设置有反射极和聚集电极,其特征在于在所述P形硅与反射极之间设置有N+层,所述P形硅与聚集电极之间设置有P+层硼扩散膜。本实用新型可以有效抑制入射光的反射,能够有效的降低生产成本,还可以提高光电转换效率,本实用新型的优点是电池片表面均有减反射膜,正面光电转换效率达到18.0%,背面光电转换效率达到14.4%,正反面转换效率之比为0.8,相比常规电池片其转换效率更高,增加了企业的效益。 |
申请公布号 |
CN203386768U |
申请公布日期 |
2014.01.08 |
申请号 |
CN201320333316.3 |
申请日期 |
2013.06.09 |
申请人 |
浙江金诺新能源科技有限公司 |
发明人 |
金建江;李叶生;李林江 |
分类号 |
H01L31/0352(2006.01)I;H01L31/0216(2006.01)I;H01L31/042(2006.01)I |
主分类号 |
H01L31/0352(2006.01)I |
代理机构 |
杭州浙科专利事务所(普通合伙) 33213 |
代理人 |
郑文涛;严晓 |
主权项 |
一种N型晶体硅高效双面电池片,包括P形硅(5),P形硅(5)的两侧分别设置有反射极(3)和聚集电极(8),其特征在于在所述P形硅(5)与反射极(3)之间设置有N+层(9),所述P形硅(5)与聚集电极(8)之间设置有P+层硼扩散膜(7)。 |
地址 |
317000 浙江省台州市临海市江南开发区汇丰北路128号 |