一种半导体存储器阵列及其编程方法

摘要

本发明提供一种闪存存储器的阵列结构及其编程方法，属于超大规模集成电路制造技术中的非易失存储器技术领域。本发明的闪存存储器阵列，包括存储单元，连接存储单元的字线和位线，其中连接存储单元漏端的位线和连接存储单元控制栅的字线不是互相垂直，而是成角度交叉，每两条位线之间两个沿沟道方向相邻的存储单元的控制栅分别由两条字线控制，漏端分别由两条位线控制，源端共享。本发明还提供了该闪存存储器阵列结构的编程方法，可实现低功耗编程。

主权项

一种闪存存储器阵列的编程方法，所述闪存存储器的阵列结构，包括多个存储单元组成阵列，位线和字线相交，但相互不垂直，字线连接阵列中同一行中的所有存储单元的控制栅，位线连接同一列中的所有存储单元的漏端，沿沟道方向相邻的每两个存储单元共享源端，其特征在于，两个相邻位线之间的沿沟道方向相邻的存储单元串联共同参与编程，其中一条位线接地，另外一条位线接高位线编程电压，共源端悬浮，与此同时上述两个存储单元的控制栅分别由两条字线连接，编程时对两个字线施加不同的电压。