| 主权项 |
1.一种氮化物半导体雷射装置,系具有氮化物半导体雷射二极体、以及设于前述氮化物半导体雷射二极体之雷射端面上的保护层,其中前述保护层,系由对前述氮化物雷射二极体所振荡的光为透明的Al1-x-y-zGaxInyBzN(0≦x、y、z≦1,而且,0≦x+y+z≦1)所制成者。2.如申请专利范围第1项之氮化物半导体雷射装置,其中在将前述保护层之折射率设为n,将前述氮化物雷射二极体所振荡的光之波长设为时,前述保护层之厚度为/2n之整数倍。3.如申请专利范围第1项之氮化物半导体雷射装置,其中前述氮化物半导体雷射二极体,系具有由InuGa1-uN/InvGa1-vN(0≦u,v≦1)所制成之多量子井活性层者。4.如申请专利范围第1项之氮化物半导体雷射装置,其中前述保护层系以MO-CVD法或MBE法所形成者。5.如申请专利范围第1项之氮化物半导体雷射装置,其中更具有与前述保护膜相接的反射层,用以反射前述氮化物雷射二极体所振荡的光。6.如申请专利范围第5项之氮化物半导体雷射装置,其中前述反设层,系具有交互层合折射率互异之第一及第二层的层合构造者。7.如申请专利范围第6项之氮化物半导体雷射装置,其中在将前述第一层之折射率设为n1,将前述第二层之折射率设为n2,而将前述氮化物雷射二极体所振荡之光的波长为时,前述第一层及第二层之厚度,分别满足/4n1及/4n2的关系。8.如申请专利范围第5项之氮化物半导体雷射装置,其中前述保护层之厚度,系在将前述保护层之折射率设为n,而将前述氮化物雷射二极体所振荡之光的波长设为时,为/2n之整数倍的厚度。9.如申请专利范围第5项之氮化物半导体雷射装置,其中前述保护层之厚度,系在将前述保护层之折射率设为n,而将前述氮化物雷射二极体所振荡之光的波长设为时,为/4n之厚度。10.如申请专利范围第6项之氮化物半导体雷射装置,其中前述保护层为GaN,而前述第一层及第二层,分别系由SiO2及TiO2,或对前述氮化物雷射二极体所振荡的光为透明,且折射率互异之二种类的Al1---GaInBN(0≦、、≦1,而且,0≦++≦1)所制成者。11.如申请专利范围第6项之氮化物半导体雷射装置,其中于前述第一层和第二层之间更具有第三层,前述第一层、第二层及第三层为结晶层,而前述第一层和前述第三层之晶格常数的差,小于前述第一层和前述第二层之晶格常数的差。12.如申请专利范围第11项之氮化物半导体雷射装置,其中前述保护层为GaN层,而由前述第一层/第三层/第二层所制成的前述反射层系具有GaN/AlGaN/AlN层合构造者。13.如申请专利范围第5项之氮化物半导体雷射装置,其中前述保护层及前述射层,系以MO-CVD法或MBE法所形成者。图式简单说明:第一图为本发明之实施形态1之氮化物半导体雷射装置的斜视图。第二图A显示实施形态1之氮化物半导体雷射装置之制程的图。第二图B显示实施形态1之氮化物半导体雷射装置之另一制程的图。第二图C显示实施形态1之氮化物半导体雷射装置之另一制程的图。第二图D显示实施形态1之氮化物半导体雷射装置之另一制程的图。第三图显示实施形态1之氮化物半导体雷射装置与习知之氮化物半导体雷射装置之寿命试验结果的图表。第四图A为本发明之实施形态2之氮化物半导体雷射装置的斜视图。第四图B为沿着第四图A之4B-4B'线的截面图。第五图为本发明之实施形态3之氮化物半导体雷射装置的截面图。第六图为本发明之实施形态4之氮化物半导体雷射装置的截面图。第七图显示实施形态2-4之氮化物半导体雷射装置与习知之氮化物半导体雷射装置之寿命试验结果的图表。第八图为本发明之实施形态之氮化物半导体雷射装置的截面图。第九图显示实施形态5之氮化物半导体雷射装置中之反射层之端面反射率对各波长之计算値的图表。第十图显示实施形态5及6之氮化物半导体雷射装置与习知之氮化物半导体雷射装置之寿命试验结果的图表。第十一图显示习知之氮化物半导体雷射装置的斜视图。第十二图A显示习知之另一氮化物半导体雷射装置的斜视图。第十二图B为第十二图A所示之习知之另一氮化物半导体雷射装置的截面图。 |
