| 主权项 |
1.一种于半导体基底上形成包含铜之传导结构的方法,该方法包含的步骤:在该基底上堆积含铜物质;选择性地氧化部份该含铜物质;及移除该含铜物质的该氧化部份。2.根据申请专利范围第1项的方法,其中该含铜物质是由充分纯的铜所组成。3.根据申请专利范围第1项的方法,其中该含铜物质是由掺杂铜的铝所组成。4.根据申请专利范围第3项的方法,其中该掺杂铜的铝包含重量至少0.5%的铜。5.根据申请专利范围第1项的方法,其中光罩在该含铜物质的部份之上形成,以阻止在该光罩下面的该含铜物质氧化。6.根据申请专利范围第1项的方法,其中移除该含铜物质的该氧化部份之该步骤执行的方法是利用化学机械抛光氧化的部份。7.根据申请专利范围第1项的方法,其中移除该含铜物质的该氧化部份之该步骤执行的方法是利用蚀刻氧化的部份。8.一种于半导体基底上形成互连/接点/通道的方法,该方法包含的步骤:在该基底上面提供一层绝缘层,该绝缘层具有上表面,下表面,以及一个从该上表面延伸到该下表面的孔洞;堆积含铜物质使得充分填满在该绝缘层内的该孔洞,该含铜物质也处于该绝缘层的该上表面之上;氧化部份该含铜物质;及移除该含铜物质的该氧化部份。9.根据申请专利范围第8项的方法,其中该含铜物质是由充分纯的铜所组成。10.根据申请专利范围第8项的方法,其中该含铜物质是由掺杂铜的铝所组成。11.根据申请专利范围第8项的方法,其中该含铜物质是出掺杂重量至少0.5%铜的铝所组成。12.根据申请专利范围第8项的方法,大体上其中所有覆盖在该绝缘层上面的含铜物质都氧化,而充分填满该绝缘层内的该孔洞之该含铜物质仍然充分地未氧化。13.根据申请专利范围第8项的方法,其中移除该含铜物质的该氧化部份之该步骤执行的方法是化学机械抛光。14.根据申请专利范围第8项的方法,其中移除该含铜物质的该氧化部份之该步骤执行的方法是前面蚀刻制程。15.根据申请专利范围第8项的方法,其中在充填该绝缘层内孔洞的该含铜物质的该部份上面形成一层不会快速氧化并且不允许氧快速比扩散穿透的光罩。图式简单说明:第一图a到第一图c是利用本发明之一实例的方法所制造的元件之剖面图。第二图a到第二图b是利用本发明之另一实例的方法所制造的元件之剖面图。 |
