发明名称 |
集成电路封装中的X射线图像多尺度细节增强方法 |
摘要 |
本发明公开了一种集成电路封装中的X射线图像多尺度细节增强方法,包括以下步骤:1)采集面向集成电路封装过程的X射线图像;2)将X射线图像进行拉普拉斯金字塔分解,获得各尺度的X射线金字塔细节图像;3)对金字塔中底层采用对数增强方法调整图像的亮度和对比度;4)对金字塔中顶层的细节图像直方图均衡化增强方法调整图像的亮度和对比度;5)对各尺度下的细节图像进行重建得到细节增强的图像。本发明方法具有简单快捷的优点,其针对信噪比低,缺陷对比度差的集成电路封装中的X射线图像,可以实现图像动态范围的压缩,使图像进行有用信息的扩展,从而使图像细节更突出和提高图像的对比度,有较高的准确性。 |
申请公布号 |
CN103500442A |
申请公布日期 |
2014.01.08 |
申请号 |
CN201310459774.6 |
申请日期 |
2013.09.29 |
申请人 |
华南理工大学 |
发明人 |
高红霞;徐寒 |
分类号 |
G06T5/00(2006.01)I |
主分类号 |
G06T5/00(2006.01)I |
代理机构 |
广州市华学知识产权代理有限公司 44245 |
代理人 |
蔡茂略 |
主权项 |
集成电路封装中的X射线图像多尺度细节增强方法,其特征在于所述方法包括以下步骤:1)采集面向集成电路封装过程的X射线图像;2)将X射线图像进行拉普拉斯金字塔分解,获得各尺度的X射线金字塔细节图像;3)对金字塔中底层采用对数增强方法调整图像的亮度和对比度;4)对金字塔中顶层的细节图像直方图均衡化增强方法调整图像的亮度和对比度;5)对各尺度下的细节图像进行重建得到细节增强的图像。 |
地址 |
511458 广东省广州市南沙区环市大道南路25号华工大广州产研院 |