发明名称 |
薄膜晶体管元件及其制造方法、有机EL显示元件和有机EL显示装置 |
摘要 |
本发明提供一种薄膜晶体管元件及其制造方法、有机EL显示元件和有机EL显示装置。在TFT基板中,在基板(1011)上形成栅电极(1012a、1012b),其上被绝缘层(1013)覆盖。在绝缘层(1013)上,以在Y轴方向上互相隔开的状态形成有源电极(1014a、1014b)、漏电极(1014c、1014d)以及连接布线(1015)。连接布线(1015)与漏电极(1012c)连接。在绝缘层(1013)上形成有规定开口部(1016a~1016c)的隔壁(1016),以使得电极(1014a~1014d、1015)的各一部分露出。在开口部(1016)的内部,源电极(1014a)和漏电极(1014c)的表面积之和的X轴方向的中心(L3)与开口部(1016b)的底部的中心(L1)相比向X轴方向右侧离开距离x1。拨液性按隔壁(1016)、绝缘层(1013)、电极(1014a、1014c)的顺序由高变低。 |
申请公布号 |
CN103503153A |
申请公布日期 |
2014.01.08 |
申请号 |
CN201180070581.0 |
申请日期 |
2011.06.21 |
申请人 |
松下电器产业株式会社 |
发明人 |
奥本有子;宫本明人;受田高明 |
分类号 |
H01L29/786(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L51/50(2006.01)I;H05B33/02(2006.01)I;H05B33/10(2006.01)I |
主分类号 |
H01L29/786(2006.01)I |
代理机构 |
北京市中咨律师事务所 11247 |
代理人 |
徐健;段承恩 |
主权项 |
一种薄膜晶体管元件,具备:栅电极;源电极及漏电极,其层叠形成在所述栅电极的上方,在与层叠方向交叉的方向上互相隔开间隔而排列设置;绝缘层,其插置于所述栅电极与所述源电极及所述漏电极之间;隔壁,其设置成围绕所述源电极及所述漏电极各自的至少一部分,并且,表面具有拨液性;以及有机半导体层,其在通过所述隔壁的围绕而构成的第1开口部的内部,形成于所述源电极与所述漏电极之间的间隙以及所述源电极及所述漏电极之上,与所述源电极及所述漏电极紧密接触,在俯视所述第1开口部的底部的情况下,所述源电极和所述漏电极的表面积之和的中心位置从所述第1开口部的底部的面积的中心位置向一方侧远离。 |
地址 |
日本大阪府 |