一种具有场发射特性的碲纳米线阵列、其制备方法及应用

摘要

本发明公开了一种具有场发射特性的碲纳米线阵列、其制备方法及应用，所述碲纳米线阵列具有尖锐端口，其场发射开启电场强度较低。所述制备方法是通过物理气相沉淀法，以碲为蒸发源，并在硅片上沉积碲纳米线得到所述碲纳米线阵列；所述制备方法具有实验设备和步骤简单，不涉及复杂化学反应，具有环境友好性等特点。本发明提供的碲纳米线阵列具有优异的稳定性，可广泛应用于场发射器件的冷阴极、场发射平面显示器和/或真空微电子器件中。

主权项

一种具有场发射特性的碲纳米线阵列，其特征在于，所述碲纳米线阵列具有尖锐端口；优选地，所述碲纳米线阵列的顶端呈圆锥形或圆柱形，或者所述碲纳米线阵列由圆锥形碲纳米线组成；优选地，所述碲纳米线阵列的开启电场强度为3.27～6.67V/μm，优选3.27～3.71V/μm。