发明名称 通孔填充方法
摘要 本发明提供一种操作简单并且高效地进行通孔填充的方法,其特征在于,在对具有盲通孔的基板进行导电化处理之后,使用含有下述成分(A)~(E)的酸性铜镀浴进行电镀;(A)100~300g/L的硫酸铜;(B)30~150g/L的硫酸;(C)10~1000mg/L从聚乙二醇、聚丙二醇、普路罗尼克型表面活性剂等中选择的第一成分(聚合物成分);(D)0.1~20mg/L从磺烷基磺酸钠、双磺基有机化合物等中选择的第二成分(载体成分):(E)0.05~10mg/L从聚亚烷基亚胺、1-羟乙基-2-烷基氯化咪唑啉、金胺及其衍生物等中选择的第三成分(均化剂成分)。
申请公布号 CN1296375A 申请公布日期 2001.05.23
申请号 CN00133889.7 申请日期 2000.11.09
申请人 荏原优莱特科技股份有限公司 发明人 石川昌巳;萩原秀树;君塚亮一
分类号 H05K3/42 主分类号 H05K3/42
代理机构 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 代理人 杨宏军
主权项 权利要求书1.一种通孔填充方法,其特征在于,在对具有盲通孔的基板进行导电化处理之后,使用含有下述成分(A)~(E)的酸性铜镀浴进行电镀:(A)100~300g/L的硫酸铜;(B)30~150g/L的硫酸;(C)10~1000mg/L从聚丙二醇、普路罗尼克非离子型表面活性剂、Tetronic型表面活性剂、聚乙二醇·甘油醚或聚乙二醇·二烷基醚中选择的第一成分;(D)0.1~20mg/L从磺烷基磺酸钠、双磺基有机化合物和二硫代氨基甲酸衍生物中选择的第二成分;(E)0.05~10mg/L从聚亚烷基亚胺、1-羟乙基-2-烷基氯化咪唑啉、金胺及其衍生物、甲基紫及其衍生物、结晶紫及其衍生物和烟鲁黑及其衍生物中选择的第三成分。
地址 日本东京都