| 发明名称 | 单晶硅提拉用二氧化硅容器及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明是一种单晶硅提拉用二氧化硅容器，具有直胴部、弯曲部及底部，其特征在于，前述直胴部的OH基浓度为30～300质量ppm，前述底部的OH基浓度为30质量ppm以下，前述直胴部与前述底部的OH基浓度差为30质量ppm以上。由此，提供一种低成本的单晶硅提拉用二氧化硅容器，可减少提拉后的单晶硅中的被称为孔隙或针孔的空洞缺陷。 | ||
| 申请公布号 | CN103502513A | 申请公布日期 | 2014.01.08 |
| 申请号 | CN201280017718.0 | 申请日期 | 2012.11.08 |
| 申请人 | 信越石英株式会社 | 发明人 | 山形茂 |
| 分类号 | C30B29/06(2006.01)I;C03B20/00(2006.01)I;C30B15/10(2006.01)I | 主分类号 | C30B29/06(2006.01)I |
| 代理机构 | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人 | 张永康;向勇 |
| 主权项 | 一种单晶硅提拉用二氧化硅容器，其具有直胴部、弯曲部及底部，其特征在于，前述直胴部的OH基浓度为30～300质量ppm，前述底部的OH基浓度为30质量ppm以下，前述直胴部与前述底部的OH基浓度差为30质量ppm以上。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||