一种自支撑大高宽比聚合物结构的制作方法

摘要

本发明公开了一种自支撑大高宽比聚合物结构的制作方法，该方法首先在衬底上制作一层聚合物薄膜或金属薄膜的牺牲层：然后在牺牲层上涂覆一层光刻胶，制作得到大高宽比微结构，最后去除牺牲层，获得自支撑大高宽比聚合物结构。本发明的有益效果为：通过在衬底与微结构之间添加辅助牺牲层，克服了现有技术中衬底与微结构之间不易剥离的技术问题，大大提高了器件的良率，同时，本发明提供的去除牺牲层的方法简单，成本低，对微纳加工工艺的有效拓展有重要的意义。

主权项

一种自支撑大高宽比聚合物结构的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：（1）在衬底上制作牺牲层：清洗衬底，烘烤去除水汽，自然冷却到室温后，在衬底上涂覆聚合物薄膜或沉积金属薄膜，作为牺牲层；（2）制作大高宽比微结构：在步骤（1）所述的牺牲层上，涂覆光刻胶，烘烤，去除光刻胶内部的溶剂，自然冷却到室温后，对光刻胶进行曝光，显影，最后清洗，得到大高宽比微结构；（3）去除牺牲层：将步骤（2）获得的大高宽比微结构置于聚合物薄膜溶解液或金属腐蚀液中，去除牺牲层，获得自支撑大高宽比聚合物结构。