发明名称 |
移位寄存器、半导体器件、显示器件和电子设备 |
摘要 |
本发明提供一种半导体器件和移位寄存器,其中,在非选择周期中产生低噪声且晶体管不总是导通。提供第一到第四晶体管。第一晶体管的源极和漏极中的一个连接到第一线,其源极和漏极中的另一个连接到第二晶体管的栅电极,且其栅电极连接到第五线。第二晶体管的源极和漏极中的一个连接到第三线,且其源极和漏极中的另一个连接到第六线。第三晶体管的源极和漏极中的一个连接到第二线,其源极和漏极中的另一个连接到第二晶体管的栅电极,且其栅电极连接到第四线。第四晶体管的源极和漏极中的一个连接到第二线,其源极和漏极中的另一个连接到第六线,且其栅电极连接到第四线。 |
申请公布号 |
CN102194525B |
申请公布日期 |
2014.01.08 |
申请号 |
CN201110057243.5 |
申请日期 |
2006.10.18 |
申请人 |
株式会社半导体能源研究所 |
发明人 |
梅崎敦司 |
分类号 |
G11C19/28(2006.01)I;G09G3/36(2006.01)I |
主分类号 |
G11C19/28(2006.01)I |
代理机构 |
中国专利代理(香港)有限公司 72001 |
代理人 |
朱海煜;卢江 |
主权项 |
一种半导体器件,包括:第一晶体管(31)、第二晶体管(32)、第三晶体管(91)、第四晶体管(92)、第五晶体管(93)、第六晶体管(94)和第七晶体管(95),其中第一晶体管的源极和漏极中的一个连接到第一线,第一晶体管的源极和漏极中的另一个连接到第二晶体管的栅电极和第三晶体管的源极和漏极中的一个,且第一晶体管的栅电极连接到第五线(51),第二晶体管的源极和漏极中的一个连接到第三线(52),并且第二晶体管的源极和漏极中的另一个连接到第六线(55),第三晶体管的源极和漏极中的所述一个连接到第二晶体管的栅电极,第三晶体管的源极和漏极中的另一个连接到第二线,并且第三晶体管的栅电极连接到第四线,第四晶体管的源极和漏极中的一个连接到第六线,并且第四晶体管的源极和漏极中的另一个连接到第二线,第五晶体管的源极和漏极中的一个连接到第六线,第五晶体管的源极和漏极中的另一个连接到第二线,并且第五晶体管的栅电极连接到第四线(53),第六晶体管的源极和漏极中的一个连接到第六线,第六晶体管的源极和漏极中的另一个连接到第二线,并且第六晶体管的栅电极连接到第七线(54),并且第七晶体管的源极和漏极中的一个连接到第四晶体管的栅电极,并且第七晶体管的源极和漏极中的另一个连接到第三线。 |
地址 |
日本神奈川县厚木市 |