| 主权项 |
1.一种薄膜电晶体之制造方法,系包含有:在含多结晶矽之半导体层上形成绝缘膜与导电膜之制程,于前述导电膜上,设有第1图案之光致抗蚀剂光罩将前述导电膜做为第1图案之图案制作制程;将前述第1图案之光致抗蚀剂光罩之外周部除去,制作第2图案之光致抗蚀剂光罩之制程;将前述第1图案之导电膜做为光罩,把不纯物注入前述半导体层之第1注入制程;藉由前述第2图至之光致抗组剂光罩,使前述第1图案之导电膜制为第2图案之图案制作制程;将前述第2图案之光致抗蚀剂光罩除去之制程;以及除去前述第2图案之光致抗蚀剂光罩之后,把前述第2图案之导电膜做为光罩将不纯物注入前述半导体层之第2注入制程。2.如申请再利范围第1项之薄膜电晶体之制造方法,其中制作前述第2图案之光致抗组剂光罩制程,系包含等方性轴刻制程。3.如申请专利范围第2项之薄膜电晶体之制造方法,其中等方性蚀刻,系于电浆周围环境中,使用以氧气瓦斯做为主成份之蚀刻瓦斯。4.如申请专利范围第3项之薄膜电晶体之制造方法,其中前述蚀刻瓦斯,系至少含有氟气瓦斯或氯气瓦斯其中之一。5.如申请专利范围第1项之薄膜电晶体之制造方法,其中在前述第1注入制程所被注入之不纯物与在第2注入制程所被注入之不纯物,实质上为同一导电型,而第1注入制程所被注入之不纯物之浓度,系较在第2注入制程所被注入之不纯物之浓度还高。6.如申请专利范围第1项之薄膜电晶体之制造方法,其中前述第1注入制程系在除去前述第1图案之光致抗蚀剂光罩之后而施行。7.如申请专利范围第1项之薄膜电晶体之制造方法,其中前述第一图案之导电膜,系含有具有柱状之结晶构造之高熔点金属。8.如申请专利范围第1项之薄膜电晶体之制造方法,其中前述半导体层,系形成于绝缘基板上。9.一种薄膜电晶体之制造方法,系包含有:在具有第1半导体领域与第2半导体领域之含多结晶矽之半导体层上,形成绝缘膜与导电膜之制程;于前述导电膜上,覆盖前述第1半导体领域之全部领域,同时于前述第2半导体领域,形成有成为第1图案之光致抗蚀剂光罩,使用该光致抗蚀剂光罩,将前述第2半导体领域上之前述导电膜,制为第1图案之图案制作制程;将前述第1图案中被制为图案之导电膜做为光罩,把具有p型导电型之p型不纯物注入于前述第2半导体领域之第1注入制程;将前述第1图案之光致抗蚀剂光罩除去之制程;覆盖前述第2半导体领域之全部领域,同时于前述第1半导体领域,形成有成为第2图案之光致抗蚀剂光罩,使用该光致抗蚀剂光罩,使前述第1半导体领域上之前述导电膜,制为第2图案之图案制作制程;将具有前述第2图案之光致抗蚀剂光罩之外周部子以除去,制作第3图案之光致抗蚀剂光罩之制程;将前述第2图案中被制为图案之导电膜做为光罩,将具有n型导电型之n型不纯物注入于前述第1半导体领域之第2注入制程;使用前述第3图案之光致抗蚀剂光罩,将前述第3图案之前述导电膜,制为第3图案之图案制作之制程;将前述第3图案之光致抗蚀剂光罩除去制程;以及将前述第3图案之光致抗蚀剂光罩除去制程后,把前述第3图案之导电膜做为光罩,将n型不纯物注入前述第1半导体领域之第3注入制程。10.如申请专利范围第9项之薄膜电晶体之制造方法,其中在前述第2注入制程所被注入之不纯物之浓度,系较在第3注入制程所被注入之不纯物之浓度还高。11.如申请专利范围第10项之薄膜电晶体之制造方法,其中前述半导体层,系形成于绝缘基板上。图式简单说明:第1图至第10图系将本发明之薄膜电晶体列阵之制造程序依制程顺序作说明之概略图。 |
