| 主权项 |
1.一种电感元件,具有二条导体,系在互相绝缘之状态下,重叠形成于基板上,且连接其各一方端;并以离该基板较远之一方的该导体,作为电感导体使用,且将该电感导体之引出线,配置于通过接近该基板之另一该导体与该基板之间的位置。2.如申请专利范围第1项所记载之电感元件,其中在该基板上形成三层以上之金属层,利用互相隔着一层以上之不同层的该金属层,分别形成该二条导体及该引出线。3.如申请专利范围第1项所记载之电感元件,其中利用该引出线之一部份,连接该二条导体之一方端。4.如申请专利范围第1项所记载之电感元件,其中该二条导体具有大略同一形状。5.如申请专利范围第1项所记载之电感元件,其中该二条导体具有长条形状,且连接分别之长方向之一方端。6.如申请专利范围第1项所记载之电感元件,其中该二条导体具有绕组数未满一周之绕组形状,且连接分别之一方端。7.如申请专利范围第1项所记载之电感元件,其中该二条导体具有绕组数一周以上之旋涡状,且连接分别之一方端。8.如申请专利范围第1项所记载之电感元件,其中该二条导体具有绕组数一周以上之旋涡状,互连接分别之一方端,同时,从该电感导体之内周侧端部引出之该引出线,通过该他方导体与该基板之间。9.如申请专利范围第1项所记载之电感元件,其中该二条导体形成略直线形状,且连接分别之一方端。10.如申请专利范围第1项所记载之电感元件,其中该二条导体形成蛇行形状,且连接分别之一方端。11.如申请专利范围第7项所记载之电感元件,其中一方之该导体的内周侧端部,与他方之该导体的外周侧端部连接。12.如申请专利范围第1项所记载之电感元件,其中具有该电感元件之电感量成分,及,该二条导体间之电容量成分。13.一种电感元件,具有二条导线,系在互相绝缘之状态下重叠形成于基板上,且连接其各一方端,并以离该基板较远之一方的该基板,作为电感导体使用,且利用特定之阻抗元件,将他方之该导体的端部,即不与该电感导体连接之侧,形成终端。14.如申请专利范围第13项所记载之电感元件,其中该阻抗元件,其电阻、电容、电感之至少一元件常数系可变,藉由可变该元件常数,而变更终端条件。15.如申请专利范围第14项所记载之电感元件,其中该基板系半导体基板,且藉由使用形成于该半导体基板之内外的半导体层之可变容量二极体,形成该电容器。16.如申请专利范围第14项所记载之电感元件,其中该基板系半导体基板,且藉由使用形成于该半导体基板之内外的半导体层之FET通道,形成该电阻。17.如申请专利范围第13项所记载之电感元件,其中该二条导体具有略同一形状。18.如申请专利范围第13项所记载之电感元件,其中该二条导体具有长条形状,且连接分别之长方向的一方端。19.如申请专利范围第13项所记载之电感元件,其中该二条导体具有绕组数未满一周之绕组形状,且连接分别之一方端。20.如申请专利范围第13项所记载之电感元件,其中该二条导体具有绕组数一周以上之旋涡状,且连接分别之一方端。21.如申请专利范围第13项所记载之电感元件,其中该二条导体形成略直线形状,且连接分别之一方端。22.如申请专利范围第13项所记载之电感元件,其中该二条导体形成蛇行形状,且连接分别之一方端。23.如申请专利范围第20项所记戴之电感元件,其中一方之该导体的内周侧端部,与他方之该导体的外周侧端部连接。24.如申请专利范围第13项所记载之电感元件,其中具有该电感元件之电感量成分、及该二条导体间之电容量成分。图式简单说明:第1图系表示第1实施形态之电感元件的平面构造图。第2图系表示包含于第1图所示之电感元件的上层导体之图。第3图系表示包含于第1图所示之电感元件的下层导体形状之图。第4图系表示包含于电感导体之二条导体之连接状态的图。第5图系第1图之V-V线扩大断面图。第6图系表示实验结果之图。第7图系表示实验结果之图。第8图系表示实验结果之图。第9图系表示实验结果之图。第10图系包含电感元件之振荡电路之电路图第11图系表示第10图所示振荡电路之输出特性图。第12图系表示第10图所示振荡电路之输出特性图。第13图系表示第2实施形态之电感元件之构造图。第14图系表示于下层导体之内周端连接可变容量二极体之场合的构成图。第15图系表示在半导体基板上形成第14图所示可变容量二极体之场合之断面构造图。第16图系表示在下层导体之内周端连接可变电阻之场合之构成图。第17图系表示包含于电感元件之导体之变形例图。第18图系表示包含于电感元件之导体之变形例图。第19图系表示包含于电感元件之导体之变形例图。第20图系表示省略用以连接二条导体之端部的连接线之电感元件之变形例图。 |
