发明名称 Phase change memory in a dual inline memory module
摘要 Subject matter disclosed herein relates to management of a memory device.
申请公布号 US8626997(B2) 申请公布日期 2014.01.07
申请号 US20090504029 申请日期 2009.07.16
申请人 QAWAMI SHEKOUFEH;HULBERT JARED E.;MICRON TECHNOLOGY, INC. 发明人 QAWAMI SHEKOUFEH;HULBERT JARED E.
分类号 G06F12/00;G06F13/00 主分类号 G06F12/00
代理机构 代理人
主权项
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