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发明名称
Phase change memory in a dual inline memory module
摘要
Subject matter disclosed herein relates to management of a memory device.
申请公布号
US8626997(B2)
申请公布日期
2014.01.07
申请号
US20090504029
申请日期
2009.07.16
申请人
QAWAMI SHEKOUFEH;HULBERT JARED E.;MICRON TECHNOLOGY, INC.
发明人
QAWAMI SHEKOUFEH;HULBERT JARED E.
分类号
G06F12/00;G06F13/00
主分类号
G06F12/00
代理机构
代理人
主权项
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