发明名称 电浆处理装置及电浆处理方法
摘要 本发明系于第一电极(102)载置被施以电浆处理之基体(101)。对于基体(101)之被施以电浆处理之面,以磁场施加机构(103)施加磁场。于第一电极(102)之外周围配置辅助电极(104),于其里面(105)激励电浆。使电浆中之电子自辅助电极(104)之表面(106)向里面(105)、且自辅助电极(104)之里面(105)向表面(106)漂移。
申请公布号 TW481826 申请公布日期 2002.04.01
申请号 TW089124771 申请日期 2000.11.22
申请人 大见忠弘;东京威力科创股份有限公司 发明人 大见忠弘;平山 昌树;海原 龙
分类号 H01L21/00 主分类号 H01L21/00
代理机构 代理人 陈长文 台北巿敦化北路二○一号七楼
主权项 1.一种电浆处理装置,其系具有以下元件者:第一电极,其系以载置被施以电浆处理之基体之方式构成者,及磁场施加机构,其系对该基体之被施以电浆处理之面施加磁场者;其特征在于:于前述第一电极之外周围设置辅助电极,藉该辅助电极激励电浆,使电浆中之电子自前述辅助电极的表面向里面,且自前述辅助电极之里面向表面漂移。2.如申请专利范围第1项之电浆处理装置,其中前述辅助电极之表面系被绝缘体所覆盖者。3.如申请专利范围第1或2项之电浆处理装置,其中前述第一电极所载置之基体之表面,与前述辅助电极之表面的高度系相等或2 mm以内者。4.如申请专利范围第1或2项之电浆处理装置,其中前述磁场施加机构系为双极化磁铁。5.如申请专利范围第1或2项之电浆处理装置,其中对前述第一电极施加之高频的频率f1,与对前述辅助电极施加之高频的频率f2系相等且相位相异者。6.如申请专利范围第1或2项之电浆处理装置,其中对前述辅助电极施加之高频的频率f2,系比对前述第一电极施加之高频的频率f1大(f2>f1)者。7.一种电浆处理方法,其系在具有以下元件之电浆处理装置中进行者:第一电极,其系以载置被施以电浆处理之基体之方式构成者;及磁场施加机构,其系对该基体之被施以电浆处理之面施加磁场者;其特征在于:于前述第一电极外周围所设之辅助电极之至少里面激励电浆;使电浆中之电子,自前述辅助电极之表面向里面,且自前述辅助电极之里面向外面漂移。图式简单说明:图1为本发明之第1实施例之电浆处理装置的构造图。图2为图1所示电浆处理装置之基体、第一电极、及辅助电极之立体图。图3为辅助电极之平面图。图4为辅助电极之变形例之平面图。图5为本发明之第1实施例之电浆处理装置中,所测定之自偏压电位表示图。图6为本发明之第1实施例之电浆处理装置中,所测定之离子电流密度表示图。图7为本发明之第2实施例之电浆溅镀成膜装置的构造图。图8为本发明之第3实施例之辅助电极的剖面图。图9为在对辅助电极施加之高频电力中,将可使自偏压电位最均一之高频电力,对于将辅助电极表面以绝缘体覆盖之情况及未覆盖之情况,予以表示之图。图10为处理室之内壁的消耗量表示图。图11为对辅助电极施加高频电力,测定辅助电极消耗量之结果的图,该高频电力系比施加至第一电极之高频电力的频率更高者。图12为依第一电极的上面与辅助电极的上面的高度之差,用以使自偏压电位均一所必要之施加至辅助电极的高频电力变化图。图13为第一电极表面比辅助电极的表面高之情况的电子漂移举动表示图。图14为第一电极表面比辅助电极的表面低之情况的电子漂移举动表示图。
地址 日本
您可能感兴趣的专利