| 主权项 |
1.一种高密度电浆化学气相沈积(High density plasmachemical vapor deposition)反应器(chamber)的清洗方法,系包括:(a)使高密度电浆化学气相沈积之反应器形成一封闭系统,且所述之反应器壁上有氧化矽沉积;(b)解离通入所述反应器之氧气,如此可升高所述反应器之温度;(c)排除所述解离之氧气;(d)解离通入反应气体进行,而所述解离之反应气体与所述反应器壁上之氧化矽作用形成易挥发之矽化物;(e)除去所述易挥发之矽化物及所述剩余之解离的反应气体。2.如申请专利范围第1项所述高密度电浆化学气相沈积反应器的清洗方法,其中所述之反应器壁上有氧化矽沉积系指于晶片上在进行沉积步骤时,氧化矽亦会沉积于所述反应器壁。3.如申请专利范围第1项所述高密度电浆化学气相沈积反应器的清洗方法,其中所述步骤(b)之解离氧气系使用电浆方式。4.如申请专利范围第1项所述高密度电浆化学气相沈积反应器的清洗方法,其中所述步骤(b)之氧气解离之反应时间系为30秒以上。5.如申请专利范围第1项所述高密度电浆化学气相沈积反应器的清洗方法,其中所述步骤(d)之反应气体系为三氟化氮(NF3)。6.如申请专利范围第1项所述高密度电浆化学气相沈积反应器的清洗方法,其中所述使反应气体进行解离,系使用微波(microwave)。7.一种高密度电浆化学气相沈积(High density plasmachemical vapor deposition)反应器(chamber)的清洗方法,系包括:(a)加热高密度电浆化学气相沈积之反应器,而所述之反应器壁上有氧化矽沉积;(b)解离通入所述反应器之反应气体行,使所述解离之反应气体与所述反应器壁上之氧化矽作用,形成易挥发之矽化物;(c)除去所述易挥发之矽化物及所述剩余之解离的反应气体。8.如申请专利范围第7项所述高密度电浆化学气相沈积反应器的清洗方法,其中所述之反应器壁上有氧化矽沉积系指于晶片上在进行沉积步骤时,氧化矽亦会沉积于所述反应器壁。9.如申请专利范围第7项所述高密度电浆化学气相沈积反应器的清洗方法,其中所述步骤(a)中之加热,系通入氧气于反应器中进行解离。10.如申请专利范围第9项所述高密度电浆化学气相沈积反应器的清洗方法,其中所述步骤(b)之解离氧气系使用电浆方式。11.如申请专利范围第9项所述高密度电浆化学气相沈积反应器的清洗方法,其中所述步骤(a)之氧气解离时间系为30秒以上。12.如申请专利范围第11项所述高密度电浆化学气相沈积反应器的清洗方法,其中所述氧气解离后系使用抽气帮浦将所述解离之气体抽离,再进行所述之步骤(b)。13.如申请专利范围第7项所述高密度电浆化学气相沈积反应器的清洗方法,其中所述步骤(b)之反应气体系为三氟化氮(NF3)。14.如申请专利范围第7项所述高密度电浆化学气相沈积反应器的清洗方法,其中所述使反应气体进行解离,系使用微波(microwave)。图式简单说明:图一是本发明实施例中预热时间与温度之关系图。 |
